為半導體行業提供高級化學機械研磨(cmp)技術的羅門哈斯公司電子材料公司，繼與ibm公司簽署協議共同開發為32納米以下制程的注入提供支持的電路圖案成形(patterning)材料和工藝后，近日又宣布與ibm簽署了另一項聯合開發協定。此項合作將專注于開發用于32納米和22納米技術節點的銅線和低絕緣(low-k)介質集成的cmp工藝技術。

　　根據該協議，兩家公司將制定出一個完整的cmp耗材方案來支持32納米和22納米制程半導體器件的大規模生產。

　　目前，羅門哈斯的研發集中在低壓力研磨技術上，該技術在惡劣的條件下仍然可以實現大規模、可重演的生產。羅門哈斯提供多種特定用途的cmp耗材組合，并開發出了用于下一代技術節點的突破性技術，同時滿足了器件制造商的低成本需求。

　　“隨著技術越來越復雜，要成功制造器件，研磨墊和研磨液技術變得至關重要”，ibm的半導體制程技術高級經理dr. jeffrey hedrick說，“把羅門哈斯在電子材料領域全球聞名的專業能力與ibm在cmp制程技術方面的豐富知識相結合，有助于我們應對未來cmp技術的挑戰。”

　　“30年來ibm一直是我們的重要客戶和合作伙伴，實際上它也是世界上首家把cmp技術引入到半導體制造過程的公司，”羅門哈斯電子材料部cmp技術總裁sam shoemaker說：“從那以后起，這種合作關系使我們一起為cmp研磨墊成功開發了好幾個工業標準平臺。我們希望這次與ibm的新合作能夠有助于解決在銅互連方面的幾個關鍵性問題，這些問題的解決將會惠及ibm及其客戶，并最終促成有益于半導體工業的技術進步。”

　　“開發用于先進技術節點的cmp耗材現在變得極為復雜，”羅門哈斯電子材料的首席技術官cathie markham解釋說，“要成功研發用于32納米和22納米技術節點的cmp制程，需要徹底了解不同制程條件下研磨墊，研磨液和調節劑之間的相互作用。而羅門哈斯在研磨墊，聚合物，研磨液以及cmp制程方面的專業性，決定了羅門哈斯在開發新一代cmp制程相關技術方面擁有著獨一無二的優勢。”

　　雙方將在ibm位于紐約的yorktown heights研發部門、albany nanotech項目基地--ualbany nanocollege，以及位于特拉華(delaware)州newark和亞里桑那(arizona)州phoenix的羅門哈斯研發中心開展合作。