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Vishay以技術優勢引領無源器件和分立半導體潮流

發布時間:2008/6/6 0:00:00 訪問次數:578

  作為世界最大的分立半導體和無源電子組件制造商之一,vishay公司在線繞和其他功率電阻器、箔電阻器、smd薄膜電阻器、引線式薄膜電阻器、液鉭電容器、應變計傳感器和測壓元件市場上排名第一。此外,該公司還提供廣泛的分立半導體產品,二極管和各類晶體管、光電子產品、功率ic和模擬開關ic。在vishay公司2007年主要產品銷售額中,無源器件占47%,分立半導體占53%,公司近10年的銷售額年復合增長率達到20%。該公司市場傳訊部門全球網絡市場總監craig hunter將獲得這些成就的原因歸納為以下三點:(1)在無源器件和分立半導體領域具有領先的技術;(2)在全球范圍內提供技術支持和服務;(3)產品廣,能滿足不同客戶的需求。

  鉭電容是vishay的優勢產品,“特別是液體鉭高能電容器,由于采用了supertan技術的獨特封裝設計,可在高能應用中提高可靠性及性能,非常適用用在航空和軍用領域的高能存儲和脈沖電源。”鉭電容/mlcc部亞洲區市場部高級總監songhee lau先生介紹道。he3采用可提高可靠性及性能的獨特雙密封技術,并且具有 3,300?f~72,000?f 的電容范圍,在所有液體鉭電容器中,這是每單位體積的最高電容。

  tr8系列模塑microtan鉭電容電容值范圍為1.0μf至220μf,標準電容容差為?10%至?20%。在采用0805封裝的該類電容具有 0.8ω 超低 esr (在100 khz和47 ?f條件下),而采用 0603 封裝時,更是達到業內最低的 1.5ω esr 值。由于具有超低 esr 值以及小型 0805 和 0603 封裝,tr8 可在占用更小的pcb板面空間的同時,進一步提高在音頻過濾和信號處理應用中的效率。

  “盡管諸如crt電視等一些電子產品的逐漸衰退將減少對應用在這些產品中的無源器件的需求,但隨著更多具有新功能、新特性的電子產品的流行,包括手機、筆記本電腦和平板電視,全球電子業對電容、電阻、電感等無源器件的需求有增無減,并推動這些器件在體積小型化的同時容量可以做到越來越大。”電阻/電感部門亞洲區市場部高級總監victor goh先生表示。

  例如,為最大限度增加當今薄型便攜式電子產品的功率密度,vishay推出了超薄功率電感器ihlp-1616ab 系列。這些新型ihlp電感器僅占4x4 mm面積, 薄至1.2 mm,100%不含鉛,電感范圍介于0.047μh~4.7μh。對于各自的封裝尺寸,這些電感器均提供了最低的dcr/μh,可作為面向穩壓器模塊(vrm)及直流到直流應用且省空間、省電的高性能解決方案。特別是最新的ihlw(有翼的ihlp)電感器有助于以極低高度的封裝實現超薄設計所需的大電流,它采用1.2 mm有效封裝高度,但與3.5 mm元件的電流相同,并與具有ihlp電感器一樣的高可靠性和性能。該元件已在便攜式圖形卡中得到采用。

  該公司的新型電子煙火啟動器電阻芯片(epic)為首款可提供焦耳效應點火的此類器件,該器件可實現50μs的超快速點火時間以及高達70%的無火/點火比。epic電阻(也稱為橋式電阻)為電阻元件,可在精確的電熱轉換過程中將電能轉換成熱能,以用于在受控的能量反應中啟動一系列點火反應。新型電阻專為以下系統中的點火頭(squib header)應用而進行了優化:部署了氣囊和其他安全設備的汽車安全系統;軍用飛行員彈射系統、機載導彈的爆炸螺栓脫離、干擾物投放器、炮彈激活器及反坦克地雷;采礦及爆破系統。

  200v、30a雙高壓 tmbs trench肖特基整流器v30200c,具有比平面肖特基整流器更出色的多種優勢。當工作電壓轉向100v及更高時,平面肖特基整流器的高轉換速度及低正向壓降優勢往往會大大折扣,但已獲專利的 tmbs 結構可消除到漂移區的少數載流子注入,從而最大程度地減少存儲的電荷,以及提高轉換速度。憑借在15a及+125°c時一般為0.648v的極低vf以及出色的轉換性能,v30200c可降低功耗并提高開關模式電源與or-ing二極管的效率。

  “v30200c克服了傳統200 v 肖特基整流器的高正向電壓和高開關損耗的弱點。tmbs是一種淺溝道的特殊設計結構,這種淺溝道薄氧化物tmbs ( stto-tmbs )結構可以大幅度縮短制造中溝道蝕刻所需的處理時間,提高制造工藝吞吐量。” pdd部門亞洲區資深市場經理vincent tan指出。

  根據siliconix部門高級應用工程師sean wu介紹,vishay siliconix產品組合包括功率mosfet和集成產品解決方案。前者包括低電壓高速開關mosfet、低電壓負載開關mosfet、低電壓銷信號mosfet、高壓功率mosfet和汽車功率mosfet,后者包括電源管理ic、dc/dc功能封裝、負載開關、電機驅動ic、模擬開關和復用器。

  “我們也提供針對hdmi應用的模擬開關等器件,但是客戶目前設計的hdmi產品大多數是用于產品認證,因此我認為hdmi的市場還沒有真正起來。”sean表示。



  作為世界最大的分立半導體和無源電子組件制造商之一,vishay公司在線繞和其他功率電阻器、箔電阻器、smd薄膜電阻器、引線式薄膜電阻器、液鉭電容器、應變計傳感器和測壓元件市場上排名第一。此外,該公司還提供廣泛的分立半導體產品,二極管和各類晶體管、光電子產品、功率ic和模擬開關ic。在vishay公司2007年主要產品銷售額中,無源器件占47%,分立半導體占53%,公司近10年的銷售額年復合增長率達到20%。該公司市場傳訊部門全球網絡市場總監craig hunter將獲得這些成就的原因歸納為以下三點:(1)在無源器件和分立半導體領域具有領先的技術;(2)在全球范圍內提供技術支持和服務;(3)產品廣,能滿足不同客戶的需求。

  鉭電容是vishay的優勢產品,“特別是液體鉭高能電容器,由于采用了supertan技術的獨特封裝設計,可在高能應用中提高可靠性及性能,非常適用用在航空和軍用領域的高能存儲和脈沖電源。”鉭電容/mlcc部亞洲區市場部高級總監songhee lau先生介紹道。he3采用可提高可靠性及性能的獨特雙密封技術,并且具有 3,300?f~72,000?f 的電容范圍,在所有液體鉭電容器中,這是每單位體積的最高電容。

  tr8系列模塑microtan鉭電容電容值范圍為1.0μf至220μf,標準電容容差為?10%至?20%。在采用0805封裝的該類電容具有 0.8ω 超低 esr (在100 khz和47 ?f條件下),而采用 0603 封裝時,更是達到業內最低的 1.5ω esr 值。由于具有超低 esr 值以及小型 0805 和 0603 封裝,tr8 可在占用更小的pcb板面空間的同時,進一步提高在音頻過濾和信號處理應用中的效率。

  “盡管諸如crt電視等一些電子產品的逐漸衰退將減少對應用在這些產品中的無源器件的需求,但隨著更多具有新功能、新特性的電子產品的流行,包括手機、筆記本電腦和平板電視,全球電子業對電容、電阻、電感等無源器件的需求有增無減,并推動這些器件在體積小型化的同時容量可以做到越來越大。”電阻/電感部門亞洲區市場部高級總監victor goh先生表示。

  例如,為最大限度增加當今薄型便攜式電子產品的功率密度,vishay推出了超薄功率電感器ihlp-1616ab 系列。這些新型ihlp電感器僅占4x4 mm面積, 薄至1.2 mm,100%不含鉛,電感范圍介于0.047μh~4.7μh。對于各自的封裝尺寸,這些電感器均提供了最低的dcr/μh,可作為面向穩壓器模塊(vrm)及直流到直流應用且省空間、省電的高性能解決方案。特別是最新的ihlw(有翼的ihlp)電感器有助于以極低高度的封裝實現超薄設計所需的大電流,它采用1.2 mm有效封裝高度,但與3.5 mm元件的電流相同,并與具有ihlp電感器一樣的高可靠性和性能。該元件已在便攜式圖形卡中得到采用。

  該公司的新型電子煙火啟動器電阻芯片(epic)為首款可提供焦耳效應點火的此類器件,該器件可實現50μs的超快速點火時間以及高達70%的無火/點火比。epic電阻(也稱為橋式電阻)為電阻元件,可在精確的電熱轉換過程中將電能轉換成熱能,以用于在受控的能量反應中啟動一系列點火反應。新型電阻專為以下系統中的點火頭(squib header)應用而進行了優化:部署了氣囊和其他安全設備的汽車安全系統;軍用飛行員彈射系統、機載導彈的爆炸螺栓脫離、干擾物投放器、炮彈激活器及反坦克地雷;采礦及爆破系統。

  200v、30a雙高壓 tmbs trench肖特基整流器v30200c,具有比平面肖特基整流器更出色的多種優勢。當工作電壓轉向100v及更高時,平面肖特基整流器的高轉換速度及低正向壓降優勢往往會大大折扣,但已獲專利的 tmbs 結構可消除到漂移區的少數載流子注入,從而最大程度地減少存儲的電荷,以及提高轉換速度。憑借在15a及+125°c時一般為0.648v的極低vf以及出色的轉換性能,v30200c可降低功耗并提高開關模式電源與or-ing二極管的效率。

  “v30200c克服了傳統200 v 肖特基整流器的高正向電壓和高開關損耗的弱點。tmbs是一種淺溝道的特殊設計結構,這種淺溝道薄氧化物tmbs ( stto-tmbs )結構可以大幅度縮短制造中溝道蝕刻所需的處理時間,提高制造工藝吞吐量。” pdd部門亞洲區資深市場經理vincent tan指出。

  根據siliconix部門高級應用工程師sean wu介紹,vishay siliconix產品組合包括功率mosfet和集成產品解決方案。前者包括低電壓高速開關mosfet、低電壓負載開關mosfet、低電壓銷信號mosfet、高壓功率mosfet和汽車功率mosfet,后者包括電源管理ic、dc/dc功能封裝、負載開關、電機驅動ic、模擬開關和復用器。

  “我們也提供針對hdmi應用的模擬開關等器件,但是客戶目前設計的hdmi產品大多數是用于產品認證,因此我認為hdmi的市場還沒有真正起來。”sean表示。



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