賽普拉斯半導體公司（cypress）日前推出2mb與8mb非揮發性靜態隨機存取存儲器(nvsram)，新元件具備20ns存取時間、無限次數讀寫及記憶周期、20年資料保存等特色，適合需要持續高速寫入資料，并要求安全的應用，如伺服器、raid、工業控制、汽車、醫療、數據通訊系統。

　　cy14b102 2mb nvsram與cy14b108 8mb nvsram均符合rohs環保規章，能直接取代sram、電池供電sram、eprom與eeprom等元件，不需使用電池就能提供可靠的非揮發資料儲存功能。在關閉電源時，系統會自動把sram儲存的資料傳送到元件的非揮發儲存元件。在啟動電源時，再把資料從非揮發存儲器回存到sram。

　　兩種作業都在軟件的控制下執行。新款nvsram采用cypress的s8 0.13微米矽氧化氮氧化硅(silicon oxide nitride oxide silicon，sonos)嵌入式非揮發性存儲器技術，具備更高密度，并能改善存取時間與效能。

　　新的2mb與8mb nvsram產品提供一個即時時脈功能，結合最低的待機振蕩器電流與最高效能的整合式存儲器，可經由非揮發性存儲器支持，為發生事件加上時間戳記。

　　相較于電池備援的srams，nvsram所需電路板空間更少、設計復雜度更低，而且比mram或鐵電存儲器(fram)更經濟。新的nvsram也是cypress所推出一系列nvsram中的最新產品，包括16kbit、64kbit、256kbit、1mbit與4mbit的nvsram元件，皆已量產供貨。

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