普通crt彩電所用的開關電源大都屬于反激式開關電源。反激式開關電源的最重要的特征體現在變壓器的繞制和有關開關器件的連接方法上，即變壓器的原邊和副邊不可能同時導通。fscq1265rt就是反激式開關電源。

　　fscq1265rt簡介

　　fscq1265rt采用準諧振轉換（qrc）方式，內置高壓（vdss=650v）sensefet，pwm控制器和軟起動電路，具有過載、過壓、短路、過溫、欠壓保護功能。其內部結構如圖1所示，管腳定義則見表1。

　　參數定義及電路描述

　　1 整機參數定義

　　fscq1265rt適用于大屏幕crt彩電，寬電源交流輸入電壓為85～265vrms，最大輸出功率p0=140w，最大峰值電流ip-p=7a；效率為80%～83%；對于上述輸出功率，整流后選用330～470μf/ 400v的電容。

　　2 mosfet工作電壓vds及共振電路

　　電壓為vdsnom=vdcmax+vro。開關mosfet的耐壓被用來決定反激電壓vro的值，在其不變的前提下，反激電壓設置得越高越好。需要說的是，反激電壓是由開關變壓器的原、副邊匝數比和輸出電壓來決定的，它是一個不隨輸入電壓變化的量。

　　例如，該開關mosfet的耐壓為650v，則vdsnom電壓不要超過開關mosfet耐壓的75%～85%。選擇vro=125v，則在vlinemax=265vac時，vdsnom=500v，留150v的余量給漏感電壓。在應用中可視電路情況增加消尖峰吸收電路。

　　在mosfet關斷時，vds的上升沿是產生開關電源噪聲的主要原因。可在mosfet的漏-源極之間并聯一個共振電容來降低vds的上升斜率，以期降低噪聲。此共振電容的增加也降低了mosfet 在關斷時發生的開關損耗。因此，漏-源極間的共振電容在mosfet的關斷時起了降低噪聲和開關損耗兩個作用。

　　在mosfet的關斷期間，共振電容會被充電至vdc+vro。而在mosfet導通之前，共振電容將和變壓器的原邊電感發生共振，vds將從起始的電壓vdc+vro，經半個共振周期后降為vdc-vro。準諧振電源利用控制器控制mosfet在vds的最低點導通，此時的導通損耗達到最小。共振電容的選擇非常重要，不合適的共振電容在mosfet導通時的放電將導致很大的mosfet導通損耗，使散熱器溫度急劇增高。

　　3 起動電阻和輔助電源vcc

　　開機啟動電阻在開機瞬間提供給控制電路電源電壓，保證控制電路能正常工作。當vcc腳電壓升到15v時，電源芯片fscq1265的內部控制電路開始工作，芯片內的mosfet開始了正常的導通和截止。

　　在正常負載時，vcc的工作電壓設定為18v。當vcc腳的電壓降低至9v時，芯片內部電路和mosfet停止工作。

　　4 同步電路

　　同步電壓vsync取自變壓器輔組繞組，它和漏極電壓對應關系如圖3所示。其中，同步電壓vsyncpk典型值設置為8～10v，它要小于ovp（12v）電壓3～4v，超過12v就會產生過壓保護。

　　fscq1265rt采用準諧振轉換工作方式，電源的頻率是隨著輸入電壓和負載的變化而改變的。負載變輕時，開關頻率升高。當升到90khz時，控制電路會使mosfet在第二個同步谷點導通（見圖4），這樣會使振蕩頻率又降了下來，限制電源在輕負載時振蕩頻率的上升。在負載加重時，開關頻率降低，當降低到45khz時間，進入準諧振工作狀態，mosfet在第一個谷點(vdc-vro)導通。

　　5 反饋控制電路

　　fscq1265rt采用電流方式控制，反饋電路保證b+穩定輸出。其內置前沿消隱電路(leb)，防止pwm控制器誤工作。

　　正常工作時，當由于某種原因造成b＋電壓升高后，通過電阻分壓到r極的電壓也升高。r極電壓的升高引起c極電流的增大，即光耦次級（1、2腳）電流增大。這樣，誤差取樣放大電路將b＋電壓的變化轉變為光耦電流的變化。因此，光耦初級（3、4腳）的電流增大，電源芯片fb腳電壓降低。芯片內部與之對應的比較器上的電壓降低，比較器另一個腳接到mosfet的另一個源極取樣電阻rsense上。因此，當fb腳電壓降低即意味著開關管漏極電流的降低，即開關管提前截止，從而使得b＋電壓降低，反之亦然。

　　開關變壓器設計參數

　　fscq1265rt主要用于crt彩電的開關變壓器中，現將應用

　　設計中一些參數做一簡要介紹。

　　1 材料

　　磁心：tdk pc44、ec43

　　骨架：電木，ec43立式

　　絕緣：class b

　　2 工法要求

　　每一層繞制時要求緊密，無交叉，并且布滿整個窗口，以加強耦合。磁芯中柱研磨得出氣隙。初次側間加三層絕緣膠帶，同一次側間不同繞組間加一層絕緣膠帶。影響供電繞組在最內層，防止對b＋造成干擾。

　　3 繞組參數：

　　感量為l(15—18)=360μh。繞組連接關系和參數，及繞組線徑及布線要求可。

　　結語

　　該電源設計方案，由于有價格優勢，許多廠家已采用批量生產，但由于該電源方案的缺陷待機功耗無法做小，不能滿足新的歐盟標準，以后使用將會受到限制。

　　普通crt彩電所用的開關電源大都屬于反激式開關電源。反激式開關電源的最重要的特征體現在變壓器的繞制和有關開關器件的連接方法上，即變壓器的原邊和副邊不可能同時導通。fscq1265rt就是反激式開關電源。

　　fscq1265rt簡介

　　fscq1265rt采用準諧振轉換（qrc）方式，內置高壓（vdss=650v）sensefet，pwm控制器和軟起動電路，具有過載、過壓、短路、過溫、欠壓保護功能。其內部結構如圖1所示，管腳定義則見表1。

　　參數定義及電路描述

　　1 整機參數定義

　　fscq1265rt適用于大屏幕crt彩電，寬電源交流輸入電壓為85～265vrms，最大輸出功率p0=140w，最大峰值電流ip-p=7a；效率為80%～83%；對于上述輸出功率，整流后選用330～470μf/ 400v的電容。

　　2 mosfet工作電壓vds及共振電路

　　電壓為vdsnom=vdcmax+vro。開關mosfet的耐壓被用來決定反激電壓vro的值，在其不變的前提下，反激電壓設置得越高越好。需要說的是，反激電壓是由開關變壓器的原、副邊匝數比和輸出電壓來決定的，它是一個不隨輸入電壓變化的量。

　　例如，該開關mosfet的耐壓為650v，則vdsnom電壓不要超過開關mosfet耐壓的75%～85%。選擇vro=125v，則在vlinemax=265vac時，vdsnom=500v，留150v的余量給漏感電壓。在應用中可視電路情況增加消尖峰吸收電路。

　　在mosfet關斷時，vds的上升沿是產生開關電源噪聲的主要原因。可在mosfet的漏-源極之間并聯一個共振電容來降低vds的上升斜率，以期降低噪聲。此共振電容的增加也降低了mosfet 在關斷時發生的開關損耗。因此，漏-源極間的共振電容在mosfet的關斷時起了降低噪聲和開關損耗兩個作用。

　　在mosfet的關斷期間，共振電容會被充電至vdc+vro。而在mosfet導通之前，共振電容將和變壓器的原邊電感發生共振，vds將從起始的電壓vdc+vro，經半個共振周期后降為vdc-vro。準諧振電源利用控制器控制mosfet在vds的最低點導通，此時的導通損耗達到最小。共振電容的選擇非常重要，不合適的共振電容在mosfet導通時的放電將導致很大的mosfet導通損耗，使散熱器溫度急劇增高。

　　3 起動電阻和輔助電源vcc

　　開機啟動電阻在開機瞬間提供給控制電路電源電壓，保證控制電路能正常工作。當vcc腳電壓升到15v時，電源芯片fscq1265的內部控制電路開始工作，芯片內的mosfet開始了正常的導通和截止。

　　在正常負載時，vcc的工作電壓設定為18v。當vcc腳的電壓降低至9v時，芯片內部電路和mosfet停止工作。

　　4 同步電路

　　同步電壓vsync取自變壓器輔組繞組，它和漏極電壓對應關系如圖3所示。其中，同步電壓vsyncpk典型值設置為8～10v，它要小于ovp（12v）電壓3～4v，超過12v就會產生過壓保護。

　　fscq1265rt采用準諧振轉換工作方式，電源的頻率是隨著輸入電壓和負載的變化而改變的。負載變輕時，開關頻率升高。當升到90khz時，控制電路會使mosfet在第二個同步谷點導通（見圖4），這樣會使振蕩頻率又降了下來，限制電源在輕負載時振蕩頻率的上升。在負載加重時，開關頻率降低，當降低到45khz時間，進入準諧振工作狀態，mosfet在第一個谷點(vdc-vro)導通。

　　5 反饋控制電路

　　fscq1265rt采用電流方式控制，反饋電路保證b+穩定輸出。其內置前沿消隱電路(leb)，防止pwm控制器誤工作。

　　正常工作時，當由于某種原因造成b＋電壓升高后，通過電阻分壓到r極的電壓也升高。r極電壓的升高引起c極電流的增大，即光耦次級（1、2腳）電流增大。這樣，誤差取樣放大電路將b＋電壓的變化轉變為光耦電流的變化。因此，光耦初級（3、4腳）的電流增大，電源芯片fb腳電壓降低。芯片內部與之對應的比較器上的電壓降低，比較器另一個腳接到mosfet的另一個源極取樣電阻rsense上。因此，當fb腳電壓降低即意味著開關管漏極電流的降低，即開關管提前截止，從而使得b＋電壓降低，反之亦然。

　　開關變壓器設計參數

　　fscq1265rt主要用于crt彩電的開關變壓器中，現將應用

　　設計中一些參數做一簡要介紹。

　　1 材料

　　磁心：tdk pc44、ec43

　　骨架：電木，ec43立式

　　絕緣：class b

　　2 工法要求

　　每一層繞制時要求緊密，無交叉，并且布滿整個窗口，以加強耦合。磁芯中柱研磨得出氣隙。初次側間加三層絕緣膠帶，同一次側間不同繞組間加一層絕緣膠帶。影響供電繞組在最內層，防止對b＋造成干擾。

　　3 繞組參數：

　　感量為l(15—18)=360μh。繞組連接關系和參數，及繞組線徑及布線要求可。

　　結語

　　該電源設計方案，由于有價格優勢，許多廠家已采用批量生產，但由于該電源方案的缺陷待機功耗無法做小，不能滿足新的歐盟標準，以后使用將會受到限制。