Vishay 推出采用 Int-A-Pak 封裝且具有 75A～200A 高額定電流的新系列半橋 600V 及 1200V IGBT 模塊

發布時間:2008/8/29 0:00:00 訪問次數:581

　　日前推出的這八款新器件采用可滿足各種應用需求的三種不同 igbt 技術。ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf采用標準穿通 (pt) igbt 技術，而ga200ts60upbf、ga75ts120upbf及 ga100ts120upbf器件采用可實現更緊參數分布及高效率的第 4 代技術。gb100ts60npbf、gb150ts60npbf及gb200ts60npbf模塊采用第 5 代非穿通 (npt) 技術，可實現 10μs 短路功能的額外優勢。

　　其中ga100ts60sfpbf和ga200hs60s1pbf是專為高達 1khz 硬開關工作頻率而進行優化設計的標準速度器件；其他六個 igbt 是與用于橋配置的 hexfred? 超軟恢復反并聯二極管共同封裝的超快速模塊，這些超快速器件可在硬開關中實現 8khz～60khz 的高工作頻率，在共振模式下可實現 200khz 以上的工作頻率。

　　vishay 此次推出的全新 igbt 系列具有 75a～200a 的高額定電流及低功耗，該系列器件專為高頻工業焊接、ups、smps、太陽能轉換器及電動機驅動應用中的隔離與非隔離轉換器、開關、逆變器及斬波器而進行了優化。特別在輸出逆變器 tig 焊機應用中，這些 igbt在額定電流時提供了當前市場上“s”系列模塊中最低的 vce(on) 。

　　上述全新 igbt 系列器件均采用無鉛 (pb)化工藝，可輕松地直接安裝到散熱片上。這些器件具有低 emi，可減少緩沖，并可提供超低的結到外殼熱阻。

　　器件規格表：

p/n	速度	技術	電壓	i_c	v_ce(on) 典型.
ga100ts60sfpbf	標準	第 4 代 pt	600 v	100 a	1.39 v
ga200hs60s1pbf	標準	第 4 代 pt	600 v	200 a	1.13 v
ga200ts60upbf	超快速	第 4 代 pt	600 v	200 a	1.74 v
ga75ts120upbf	超快速	第 4 代 pt	1200 v	75 a	2.5 v
ga100ts120upbf	超快速	第 4 代 pt	1200 v	100 a	2.25 v
gb100ts60npbf	超快速	第 5 代 npt	600 v	100 a	2.6 v
gb150ts60npbf	超快速	第 5 代 npt	600 v	150 a	2.64 v
gb200ts60npbf	超快速	第 5 代 npt	600 v	200 a	2.6 v

　　目前，這些新型 igbt 模塊的樣品及量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 8 周。

　　vishay簡介

　　vishay intertechnology, inc. 是在 nyse (vsh) 上市的“財富 1,000 強企業”，

　　上述全新 igbt 系列器件均采用無鉛 (pb)化工藝，可輕松地直接安裝到散熱片上。這些器件具有低 emi，可減少緩沖，并可提供超低的結到外殼熱阻。

　　器件規格表：

p/n	速度	技術	電壓	i_c	v_ce(on) 典型.
ga100ts60sfpbf	標準	第 4 代 pt	600 v	100 a	1.39 v
ga200hs60s1pbf	標準	第 4 代 pt	600 v	200 a	1.13 v
ga200ts60upbf	超快速	第 4 代 pt	600 v	200 a	1.74 v
ga75ts120upbf	超快速	第 4 代 pt	1200 v	75 a	2.5 v
ga100ts120upbf	超快速	第 4 代 pt	1200 v	100 a	2.25 v
gb100ts60npbf	超快速	第 5 代 npt	600 v	100 a	2.6 v
gb150ts60npbf	超快速	第 5 代 npt	600 v	150 a	2.64 v
gb200ts60npbf	超快速	第 5 代 npt	600 v	200 a	2.6 v