對于許多消費類音視頻產品而言，ｎａｎｄ閃存是一種比硬盤驅動器更好的存儲方案，這在不超過４ｇｂ的低容量應用中表現得猶為明顯。隨著人們持續追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產品，ｎａｎｄ正被證明極具吸引力。

　　ｎａｎｄ閃存陣列分為一系列１２８ｋｂ的區塊（ｂｌｏｃｋ），這些區塊是ｎａｎｄ器件中最小的可擦除實體。擦除一個區塊就是把所有的位（ｂｉｔ）設置為“１”（而所有字節（ｂｙｔｅ）設置為ｆｆｈ）。有必要通過編程，將已擦除的位從“１”變為“０”。最小的編程實體是字節（ｂｙｔｅ）。一些ｎｏｒ閃存能同時執行讀寫操作（見下圖１）。雖然ｎａｎｄ不能同時執行讀寫操作，它可以采用稱為“映射（ｓｈａｄｏｗｉｎｇ）”的方法，在系統級實現這一點。這種方法在個人電腦上已經沿用多年，即將ｂｉｏｓ從速率較低的ｒｏｍ加載到速率較高的ｒａｍ上。

　　ｎａｎｄ的效率較高，是因為ｎａｎｄ串中沒有金屬觸點。ｎａｎｄ閃存單元的大小比ｎｏｒ要小（４ｆ２：１０ｆ２）的原因，是ｎｏｒ的每一個單元都需要獨立的金屬觸點。ｎａｎｄ與硬盤驅動器類似，基于扇區（頁），適合于存儲連續的數據，如圖片、音頻或個人電腦數據。雖然通過把數據映射到ｒａｍ上，能在系統級實現隨機存取，但是，這樣做需要額外的ｒａｍ存儲空間。此外，跟硬盤一樣，ｎａｎｄ器件存在壞的扇區，需要糾錯碼（ｅｃｃ）來維持數據的完整性。

　　存儲單元面積越小，裸片的面積也就越小。在這種情況下，ｎａｎｄ就能夠為當今的低成本消費市場提供存儲容量更大的閃存產品。ｎａｎｄ閃存用于幾乎所有可擦除的存儲卡。ｎａｎｄ的復用接口為所有最新的器件和密度都提供了一種相似的引腳輸出。這種引腳輸出使得設計工程師無須改變電路板的硬件設計，就能從更小的密度移植到更大密度的設計上。

　　ｎａｎｄ與ｎｏｒ閃存比較

　　ｎａｎｄ閃存的優點在于寫（編程）和擦除操作的速率快，而ｎｏｒ的優點是具有隨機存取和對字節執行寫（編程）操作的能力（見下圖圖２）。ｎｏｒ的隨機存取能力支持直接代碼執行（ｘｉｐ），而這是嵌入式應用經常需要的一個功能。ｎａｎｄ的缺點是隨機存取的速率慢，ｎｏｒ的缺點是受到讀和擦除速度慢的性能制約。ｎａｎｄ較適合于存儲文件。如今，越來越多的處理器具備直接ｎａｎｄ接口，并能直接從ｎａｎｄ（沒有ｎｏｒ）導入數據。

　　ｎａｎｄ的真正好處是編程速度快、擦除時間短。ｎａｎｄ支持速率超過５ｍｂｐｓ的持續寫操作，其區塊擦除時間短至２ｍｓ，而ｎｏｒ是７５０ｍｓ。顯然，ｎａｎｄ在某些方面具有絕對優勢。然而，它不太適合于直接隨機存取。

　　對于１６位的器件，ｎｏｒ閃存大約需要４１個ｉ／ｏ引腳；相對而言，ｎａｎｄ器件僅需２４個引腳。ｎａｎｄ器件能夠復用指令、地址和數據總線，從而節省了引腳數量。復用接口的一項好處，就在于能夠利用同樣的硬件設計和電路板，支持較大的ｎａｎｄ器件。由于普通的ｔｓｏｐ－１封裝已經沿用多年，該功能讓客戶能夠把較高密度的ｎａｎｄ器件移植到相同的電路板上。ｎａｎｄ器件的另外一個好處顯然是其封裝選項：ｎａｎｄ提供一種厚膜的２ｇｂ裸片或能夠支持最多四顆堆疊裸片，容許在相同的ｔｓｏｐ－１封裝中堆疊一個８ｇｂ的器件。這就使得一種封裝和接口能夠在將來支持較高的密度。

　　圖１　不同閃存單元的對比

　　圖２　ｎｏｒ閃存的隨機存取時間為０．１２ｍｓ，而ｎａｎｄ閃存的第一字節隨機存取速度要慢得多

　　ｎａｎｄ基本操作

　　以２ｇｂ　ｎａｎｄ器件為例，它由２０４８個區塊組成，每個區塊有６４個頁（見圖３）。

　　圖３　２ｇｂ　ｎａｎｄ閃存包含２，０４８個區塊

　　每一個頁均包含一個２０４８字節的數據區和６４字節的空閑區，總共包含２，１１２字節。空閑區通常被用于ｅｃｃ、耗損均衡（ｗｅａｒ　ｌｅｖｅｌｉｎｇ）和其它軟件開銷功能，盡管它在物理上與其它頁并沒有區別。ｎａｎｄ器件具有８或１６位接口。通過８或１６位寬的雙向數據總線，主數據被連接到ｎａｎｄ存儲器。在１６位模式，指令和地址僅僅利用低８位，而高８位僅僅在數據傳輸周期使用。

　　擦除區塊所需時間約為２ｍｓ。一旦數據被載入寄存器，對一個頁的編程大約要３００μｓ。讀一個頁面需要大約２５μｓ，其中涉及到存儲陣列訪問頁，并將頁載入１６，８９６位寄存器中。

　　除了ｉ／ｏ總線，ｎａｎｄ接口由６個主要控制信號構成：

　　１．芯片啟動（ｃｈｉｐ　ｅｎａｂｌｅ，