日前，vishay intertechnology, inc.推出一款新型25v n通道器件，從而擴展了其gen iii trenchfet功率mosfet系列，對于采用powerpak so-8封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。

　　sir476dp在4.5v柵極驅動時最大導通電阻為2.1mω，在10v柵極驅動時最大導通電阻為1.7mω。導通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中針對mosfet的關鍵優值(fom)，在4.5v時為89.25nc。

　　與為實現低導通損失及低開關損失而優化的最接近的同類競爭器件相比，這些規格意味著在4.5v及10v時導通電阻分別低32%與15%，fom低42%。更低的導通電阻及柵極電荷可轉變成更低的傳導損失及開關損失。

　　siliconix sir476dp將在同步降壓轉換器以及二級同步整流及or-ing應用中作為低端mosfet。其低導通及低開關損失將使穩壓器模塊(c)、服務器及使用負載點(pol)功率轉換的眾多系統實現功效更高且更節省空間的設計。

vishay還推出了新型25v sir892dp和sir850dpn通道mosfet。這些器件在4.5v時提供了4.2mω與9mω的導通電阻，在10v時為3.2mω及7mω，典型柵極電荷為20nc及8.4nc。所有這三款新型功率mosfet均采用powerpak so-8封裝類型。這些器件無鉛(pb)，無鹵素，并且符合rohs，因此符合有關消除有害物質的國際法規要求。

　　目前，sir476dp, sir892dp, 及sir850dp的樣品及量產批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為10～12周。

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