MOSFET芯片
發布時間:2011/5/9 9:28:44 訪問次數:1084
AUIRL7732S2 邏輯電平 MOSFET 具備低柵極電荷 (Qg) 的特點,PCB 占用空間比采用 SO-8 封裝小 38%,使其非常適用于同步降壓轉換器中的控制 MOSFET 位置。AUIRL7736M2 MOSFET 適用于同步開關位置,具有低導通電阻,PCB 大小與 5x6 PQFN 或 SO-8 封裝一致。 AUIRL7732S2 和 AUIRL7736M2 的低電感可以在更高頻率條件下實現比傳統 MOSFET 更好的開關性能。
車用 DirectFET2 產品線基于多年的研究與開發,旨在開發出一個專為汽車應用,且立足于高度可靠、成熟的消費級DirectFET 產品的產品平臺。
新器件符合 AEC-Q101 標準,是在 IR 要求零缺陷的汽車質量理念下研制而成的,所采用的環保材料既不含鉛,也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
有關產品現已開始供貨。國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出了一款優化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組,適合內燃機、混合動力和電動車中的 DC-DC 應用。
新型 40V 邏輯電平柵極驅動芯片組包含 AUIRL7732S2 MOSFET 和 AUIRL7736M2 MOSFET ,有助于最大限度減少 DC-DC 轉換器的開關和傳導損耗。這些器件也可用于更普遍的重載應用,如泵和風扇的變頻驅動器,以及替代接線盒應用中的繼電器。
IR 亞太區:DirectFET2 功率封裝提供了低電阻及低于 D2Pak 10 倍的寄生電感,從而保證優良的高頻開關性能,減少波形振鈴,而這也有助于限制電磁干擾和濾波器的大小。另外,新型車用 DirectFET2 芯片組還具備雙面冷卻和低導通電阻的特點,為 DC-DC 轉換提供了理想的解決方案。
AUIRL7732S2 邏輯電平 MOSFET 具備低柵極電荷 (Qg) 的特點,PCB 占用空間比采用 SO-8 封裝小 38%,使其非常適用于同步降壓轉換器中的控制 MOSFET 位置。AUIRL7736M2 MOSFET 適用于同步開關位置,具有低導通電阻,PCB 大小與 5x6 PQFN 或 SO-8 封裝一致。 AUIRL7732S2 和 AUIRL7736M2 的低電感可以在更高頻率條件下實現比傳統 MOSFET 更好的開關性能。
車用 DirectFET2 產品線基于多年的研究與開發,旨在開發出一個專為汽車應用,且立足于高度可靠、成熟的消費級DirectFET 產品的產品平臺。
新器件符合 AEC-Q101 標準,是在 IR 要求零缺陷的汽車質量理念下研制而成的,所采用的環保材料既不含鉛,也符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。
有關產品現已開始供貨。國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出了一款優化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組,適合內燃機、混合動力和電動車中的 DC-DC 應用。
新型 40V 邏輯電平柵極驅動芯片組包含 AUIRL7732S2 MOSFET 和 AUIRL7736M2 MOSFET ,有助于最大限度減少 DC-DC 轉換器的開關和傳導損耗。這些器件也可用于更普遍的重載應用,如泵和風扇的變頻驅動器,以及替代接線盒應用中的繼電器。
IR 亞太區:DirectFET2 功率封裝提供了低電阻及低于 D2Pak 10 倍的寄生電感,從而保證優良的高頻開關性能,減少波形振鈴,而這也有助于限制電磁干擾和濾波器的大小。另外,新型車用 DirectFET2 芯片組還具備雙面冷卻和低導通電阻的特點,為 DC-DC 轉換提供了理想的解決方案。
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