μPD44321181/μPD44321361 32Mbit ZEROSBTM SRAM電路的基本特性：

1) 低核心電壓V_DD為(3.3±0.165)V或(2.5±0.125)V；
2) 同步操作；
3) 工作溫度T_A為O~70C或- 40~85℃：
4) 100%總線利用；
5) 內部自動定時寫控制；
6) 突發脈沖讀/寫，交錯脈沖和線性的突發脈沖序列；
7) 所有的寄存器引起正時鐘邊沿；
8) 所有的輸入輸出都滿足3. 3V或2.5V的LVTTL兼容；
9) 快速時鐘存取時間，在117MHz時為7.5ns，在100MHz時為8.5ns：
10)異步輸出使能引腫G；
11)突發脈沖序列選擇引腳MODE;
12)睡眠模式ZZ（開啟或低時正常運作）；
13)3個使能引腳，易于擴展。