集成電路的制造工藝是由多種單項工藝組合而成的，簡單來說主要的單項工藝通常包括三類：薄膜形成工藝、圖形轉移工藝和摻雜工藝。
    (1)薄膜形成工藝  包括氧化工藝和薄膜淀積工藝。該工藝通過生長或淀積的方法，生成集成電路制造過程中所需的各種材料的薄膜，如金屬層、絕緣層等。
    (2)圖形轉移工藝包括光刻工藝和刻蝕工藝。從物理上說，集成電路是由許許多多的半導體元器件組合而成的，對應在硅晶圓片上就是半導體、導體以及各種不同層上的隔離材料的集合。集成電路制造工藝首先將這些結構以圖形的形式制作在光刻掩模板上，然后通過圖形轉移技術將圖形轉移到硅晶圓片上。
    (3)摻雜工藝包括擴散工藝和離子注入工藝，通過這些工藝將各種雜質按照設計要求摻人品圓片的特定位置上，形成晶體管的各“極”以及歐姆接觸（金屬與半導體的接觸）等。
    通過一定的順序對上述單項工藝進行重復、組合使用，就形成集成電路的完整制造工藝了。芯片基本制造工藝如圖3.4.1所示。     HA17555P