本征半導體雖然有自由電子和空穴兩種載流子，但數量少，導電能力仍然很弱。如果在本征半導體中摻人微量的雜質元素，可以使雜質半導體的導電能力得到改善，尋電性能將會大大提高，并受所摻雜質的類型和濃度控制，使半導體獲得重要的用途。由于摻人半導體中的雜質不同，雜質半導體可分為N型半導體和P型半導體兩大類。
    1．N型半導體
    在本征半導體硅（或鍺）中，HT7022 摻入微量的五價元素，如磷(P)。摻人的雜質并不改變本征半導體硅（或鍺）的晶體結構，只是半導體晶格點陣中的某些硅（或鍺）原子被磷原子所取代。五價元素的4個價電子與硅（或鍺）原子組成共價鍵后，將多余一個價電子，如圖1-5所示。這一多余的電子不受共價鍵的束縛，只需獲得較小的能量，就能掙脫原子核的束縛而成為自由電子。于是，半導體中自由電子的數量劇增。五價元素的原子因失去一個外層電子而成為正離子（注意此時它不產生空穴，不能像空穴那樣能被電子填充而移動參與導電，所以它不是載流子）。

                
    雜質半導體中，除了雜質元素釋放出的自由電子外，半導體本身還存在本征激發所產生的電子一空穴對。由于增加了雜質元素所釋放出的自由電子數，導致這類雜質半導體中的自由電子數遠大于空穴數。自由電子導電成為此類雜質半導體的主要導電方式，故稱它為電子型半導體，簡稱N型半導體。在N型半導體中，電子為多數載流子（簡稱多子），空穴為少數載子（簡稱少子）。由于雜質原子可以提供自由電子，故又稱為施主原子。N型半導體主要靠自由電子導電，在本征半導體中摻入的雜質越鄉，所產生的自由電子數也越多，雜質半導體的導電能力就越強。
    2．P型半導體
    在本征半導體中摻入微量的三價雜質元素，如硼(B)。雜質原子取代晶體中某些晶格上的硅（或鍺）原子，三價元素的3個價電子與周圍4個原子組成共價鍵時，缺少一個電子而產生了空位，如圖1 -6所示。此空位不是空穴，所以不是載流子，但是鄰近的硅（或鍺）原子的價電子很容易來受主原子填補這個空位，于是在該價電子的原位上就產生了一個空穴，而三價元素卻因多得了一個電子而成了負離子。在室溫下，價電子幾乎能填滿雜質元素上的全部空位，而使其成為負離子，與此同時，半導體中產生了與雜質元素原子數相同的空穴，除此之外，半導體中還有因本征激發所產生的電子一空穴對。因此，在這類半導體中，空穴的數目遠大于自由電子的數目，導電是以空穴載流子為主，故稱空穴型半導體，簡稱P型半導體。P型半導體中的多子是空穴，少子為自由電子，主要靠空穴導電。與N型半導體相同，摻入的雜質越多，空穴的密度越高，導電能力就越強。因雜質原子中的空位吸收電子，故又稱為受主原子。