MOSFET剛開始進入商業市場時，尚無法成為大電流的功率元件。近幾年來MOSFET制造技術不斷創新，已經能夠制造高功率MOSFET，在數字與模擬電路的功率放大器應用上具有不錯的優點。只要不超過其電壓、電流及溫度的額定值，MOSFET是非常值得信賴的。
    與BJT比較，MOSFET具有若干顯著優點，但也有不少缺點。MOSFET比BJT相比具有優勢的地方，主要是它們的偏壓電路比較容易設計，驅動條件比較簡單以及它們能夠以并聯方式增加前級的驅動能力。此外，MOSFET也不會有熱不穩定性的問題；當它們的溫度升高，電流將會下降，這恰好與雙極結型晶體管相反。
    當較為關注晶體管的電壓降時，BJT就顯出其優點，也因此在某些應用電路中它比MOSFET更有效率。此外，BJT較不受靜電放電(ESD)的影響，但是靜電放電卻能毀掉MOSFET。大部分MOSFET在運送時都會先以金屬環將所有引腳短路，在還沒焊接到電路板前，不可拿掉金屬環。
    圖9. 20(a)顯示簡化的雙電源B類互補式E-MOSFET放大器電路。請記得，E-MOSFET在正常情況下為截止狀態，只有輸入電壓超過閾值電壓才會導通。對邏輯電路而言，導通電壓的標準值介于1V和2V之間；對標準元件而言閾值電壓會更高。當信號電壓超過Q1正閾值電壓值時，Ql導通；同樣地，當信號電壓低于負閾值電壓值，Q2導通。所以N溝道元件在正半周導通；而P溝道元件在負半周導通。
    與BJT推挽式放大器一樣，信號電壓稍大于OV時晶體管并不會導通，這就造成交越失真。如果每個晶體管的偏壓都是閾值電壓值，MOSFET將工作在AB類模式，如圖9.20(b)電路所示。此放大器使用一個作為驅動級的BJT放大器以及其他元件，來確保E- VsMOSFET摧挽式放大級的輸出大致上呈現線性關系。當然，商業使用的放大器比這種基本設計會多加上一些額外功能。
    圖9. 20(b)顯示的基本AB類推挽式放大器包含一個共發射極放大級，可將輸入信號放大，再將信號耦合到推挽放大級（由Q．和Q2組成）的柵極。M13S2561616A-5T請注意，電容器G將R6并聯旁路，這樣可以讓推挽式放大級的兩個晶體管具有相同的交流輸入信號。用來獲取確直流電壓的電位R6，可以Q2將和Q3的偏壓設定在其閾值電壓值上。它可以調整到將交越失真縮減至最小。電位計R1可以用來調整電路，使得沒有輸入信號時輸出直流電壓為OV。

                   
    只要再并聯另一對MOSFET，這種類型的放大器就能提供更高的功率輸出；不過，這樣做可能引起不愿見到的振蕩現象。要改善這種現象可以加入柵極電阻，將MOSFET彼此隔離開。雖然在這個簡化放大器電路中并不需要這么做，但是此電路還是有這種電阻，即R8和R9。運用并聯的E-MOSFET晶體管功率放大器，可以輸出超過100W的功率。