靜電防護的主要措施
發布時間:2012/4/19 20:08:09 訪問次數:2702
靜電防護的主要措施有SGM2007-3.3XN5/TR防止靜電產生、消除已產生的靜電和設計保護電路等幾種。
1)防止靜電產生
防止靜電產生的途徑主要是：
①控制生產環境。相對濕度的最佳范圍為50%～90%，通風降溫設施風速降低有利于減少靜電的產生，一般相對濕度低于40%就要采取增濕措施。
②控制生產工藝。在可能的情況下盡量減少將接觸分離的機槭動作幅度，控制生產的速度和碰撞、磨損的力度。
③控制和選用材料。當一種物體表面與另一種物體表面摩擦時，摩擦熱轉變物體表面的電子能量，使之超過庫侖約束能極，而使這些電子脫離它們的外層運轉軌道，進入另一物體的外層運轉軌道，產生兩種離子，即帶正電荷和帶負電荷。對此了解易于產生靜電的部位和零件，將其中之一改變為摩擦碰撞對象相同的材料或靜電序列中位置較近的材料，使之相互對外層的電子能差不多，這樣產生的靜電較小。
④防止人體帶電。操作人員是最大的活動靜電源，且帶的靜電電量較大，因此應作為重點控制對象。
⑤建立防靜電安全工作區。操作區內的所有工作臺面必須是防靜電的，每個操作ESD人員必須戴上防靜電腕帶，穿著防靜電工作服和導電鞋。
2)消除已產生的靜電
消除已產生的靜電主要是采用泄漏法和中和法。泄漏法適用于靜電導體，中和法適用于靜電非導體。
①泄漏法。泄漏一般是開辟一條靜電通路，讓靜電電荷通過它進人大地或類似可容納大量靜電電荷的接近零電位的物體，其泄漏速度不宜過快，一般要求在0. Is內將人體等靜電電源的靜電位降到100V以下即可，由此可計算出泄漏的電阻應小于loioQ。考慮到人體的安全，此電阻應大于l05Q。
②中和法。中和法一般使用離子靜電消除器。
3)采用抗靜電技術，設計保護電路
要提高元器件的抗ESD能力，主要從三方面人手進行抗靜電設計：
①設計具有抗ESD能力的電路和版圖。
②優化工藝設計。
③改進封裝和測試。
不同的電子元器件，提高產品抗ESD鈍力的措施不同。例如，對于MOS-FET、VDMOSFET、GaAs MESFET等器件，盡可能提高柵總寬度Wg；對于硅微波低噪聲晶體管，應盡可能提高B VEB擊穿電壓，增加發射極周長和面積，增加和改善EB結結構，并在輸入端增加脈沖吸收網絡；對靜電敏感IC的最易受損的管腳處（例如，在V cc和I/O管腳等處）安裝一個瞬態抑制器，即片式多層壓敏電阻器就能起到保護IC的作用；具有獨石結構的多層壓敏電阻器與MLCC結構類似，內電極與陶瓷薄層交錯并聯經端電極引出，除進一步實現瓷體薄層化降低擊穿電壓外，多層并聯使電極有效面積成倍增加，從而極大地提高其通流量和靜電容量值，并有效地縮小元件的體積與減輕重量。
1)防止靜電產生
防止靜電產生的途徑主要是：
①控制生產環境。相對濕度的最佳范圍為50%～90%，通風降溫設施風速降低有利于減少靜電的產生，一般相對濕度低于40%就要采取增濕措施。
②控制生產工藝。在可能的情況下盡量減少將接觸分離的機槭動作幅度，控制生產的速度和碰撞、磨損的力度。
③控制和選用材料。當一種物體表面與另一種物體表面摩擦時，摩擦熱轉變物體表面的電子能量，使之超過庫侖約束能極，而使這些電子脫離它們的外層運轉軌道，進入另一物體的外層運轉軌道，產生兩種離子，即帶正電荷和帶負電荷。對此了解易于產生靜電的部位和零件，將其中之一改變為摩擦碰撞對象相同的材料或靜電序列中位置較近的材料，使之相互對外層的電子能差不多，這樣產生的靜電較小。
④防止人體帶電。操作人員是最大的活動靜電源，且帶的靜電電量較大，因此應作為重點控制對象。
⑤建立防靜電安全工作區。操作區內的所有工作臺面必須是防靜電的，每個操作ESD人員必須戴上防靜電腕帶，穿著防靜電工作服和導電鞋。
2)消除已產生的靜電
消除已產生的靜電主要是采用泄漏法和中和法。泄漏法適用于靜電導體，中和法適用于靜電非導體。
①泄漏法。泄漏一般是開辟一條靜電通路，讓靜電電荷通過它進人大地或類似可容納大量靜電電荷的接近零電位的物體，其泄漏速度不宜過快，一般要求在0. Is內將人體等靜電電源的靜電位降到100V以下即可，由此可計算出泄漏的電阻應小于loioQ。考慮到人體的安全，此電阻應大于l05Q。
②中和法。中和法一般使用離子靜電消除器。
3)采用抗靜電技術，設計保護電路
要提高元器件的抗ESD能力，主要從三方面人手進行抗靜電設計：
①設計具有抗ESD能力的電路和版圖。
②優化工藝設計。
③改進封裝和測試。
不同的電子元器件，提高產品抗ESD鈍力的措施不同。例如，對于MOS-FET、VDMOSFET、GaAs MESFET等器件，盡可能提高柵總寬度Wg；對于硅微波低噪聲晶體管，應盡可能提高B VEB擊穿電壓，增加發射極周長和面積，增加和改善EB結結構，并在輸入端增加脈沖吸收網絡；對靜電敏感IC的最易受損的管腳處（例如，在V cc和I/O管腳等處）安裝一個瞬態抑制器，即片式多層壓敏電阻器就能起到保護IC的作用；具有獨石結構的多層壓敏電阻器與MLCC結構類似，內電極與陶瓷薄層交錯并聯經端電極引出，除進一步實現瓷體薄層化降低擊穿電壓外，多層并聯使電極有效面積成倍增加，從而極大地提高其通流量和靜電容量值，并有效地縮小元件的體積與減輕重量。
靜電防護的主要措施有SGM2007-3.3XN5/TR防止靜電產生、消除已產生的靜電和設計保護電路等幾種。
1)防止靜電產生
防止靜電產生的途徑主要是：
①控制生產環境。相對濕度的最佳范圍為50%～90%，通風降溫設施風速降低有利于減少靜電的產生，一般相對濕度低于40%就要采取增濕措施。
②控制生產工藝。在可能的情況下盡量減少將接觸分離的機槭動作幅度，控制生產的速度和碰撞、磨損的力度。
③控制和選用材料。當一種物體表面與另一種物體表面摩擦時，摩擦熱轉變物體表面的電子能量，使之超過庫侖約束能極，而使這些電子脫離它們的外層運轉軌道，進入另一物體的外層運轉軌道，產生兩種離子，即帶正電荷和帶負電荷。對此了解易于產生靜電的部位和零件，將其中之一改變為摩擦碰撞對象相同的材料或靜電序列中位置較近的材料，使之相互對外層的電子能差不多，這樣產生的靜電較小。
④防止人體帶電。操作人員是最大的活動靜電源，且帶的靜電電量較大，因此應作為重點控制對象。
⑤建立防靜電安全工作區。操作區內的所有工作臺面必須是防靜電的，每個操作ESD人員必須戴上防靜電腕帶，穿著防靜電工作服和導電鞋。
2)消除已產生的靜電
消除已產生的靜電主要是采用泄漏法和中和法。泄漏法適用于靜電導體，中和法適用于靜電非導體。
①泄漏法。泄漏一般是開辟一條靜電通路，讓靜電電荷通過它進人大地或類似可容納大量靜電電荷的接近零電位的物體，其泄漏速度不宜過快，一般要求在0. Is內將人體等靜電電源的靜電位降到100V以下即可，由此可計算出泄漏的電阻應小于loioQ。考慮到人體的安全，此電阻應大于l05Q。
②中和法。中和法一般使用離子靜電消除器。
3)采用抗靜電技術，設計保護電路
要提高元器件的抗ESD能力，主要從三方面人手進行抗靜電設計：
①設計具有抗ESD能力的電路和版圖。
②優化工藝設計。
③改進封裝和測試。
不同的電子元器件，提高產品抗ESD鈍力的措施不同。例如，對于MOS-FET、VDMOSFET、GaAs MESFET等器件，盡可能提高柵總寬度Wg；對于硅微波低噪聲晶體管，應盡可能提高B VEB擊穿電壓，增加發射極周長和面積，增加和改善EB結結構，并在輸入端增加脈沖吸收網絡；對靜電敏感IC的最易受損的管腳處（例如，在V cc和I/O管腳等處）安裝一個瞬態抑制器，即片式多層壓敏電阻器就能起到保護IC的作用；具有獨石結構的多層壓敏電阻器與MLCC結構類似，內電極與陶瓷薄層交錯并聯經端電極引出，除進一步實現瓷體薄層化降低擊穿電壓外，多層并聯使電極有效面積成倍增加，從而極大地提高其通流量和靜電容量值，并有效地縮小元件的體積與減輕重量。
1)防止靜電產生
防止靜電產生的途徑主要是：
①控制生產環境。相對濕度的最佳范圍為50%～90%，通風降溫設施風速降低有利于減少靜電的產生，一般相對濕度低于40%就要采取增濕措施。
②控制生產工藝。在可能的情況下盡量減少將接觸分離的機槭動作幅度，控制生產的速度和碰撞、磨損的力度。
③控制和選用材料。當一種物體表面與另一種物體表面摩擦時，摩擦熱轉變物體表面的電子能量，使之超過庫侖約束能極，而使這些電子脫離它們的外層運轉軌道，進入另一物體的外層運轉軌道，產生兩種離子，即帶正電荷和帶負電荷。對此了解易于產生靜電的部位和零件，將其中之一改變為摩擦碰撞對象相同的材料或靜電序列中位置較近的材料，使之相互對外層的電子能差不多，這樣產生的靜電較小。
④防止人體帶電。操作人員是最大的活動靜電源，且帶的靜電電量較大，因此應作為重點控制對象。
⑤建立防靜電安全工作區。操作區內的所有工作臺面必須是防靜電的，每個操作ESD人員必須戴上防靜電腕帶，穿著防靜電工作服和導電鞋。
2)消除已產生的靜電
消除已產生的靜電主要是采用泄漏法和中和法。泄漏法適用于靜電導體，中和法適用于靜電非導體。
①泄漏法。泄漏一般是開辟一條靜電通路，讓靜電電荷通過它進人大地或類似可容納大量靜電電荷的接近零電位的物體，其泄漏速度不宜過快，一般要求在0. Is內將人體等靜電電源的靜電位降到100V以下即可，由此可計算出泄漏的電阻應小于loioQ。考慮到人體的安全，此電阻應大于l05Q。
②中和法。中和法一般使用離子靜電消除器。
3)采用抗靜電技術，設計保護電路
要提高元器件的抗ESD能力，主要從三方面人手進行抗靜電設計：
①設計具有抗ESD能力的電路和版圖。
②優化工藝設計。
③改進封裝和測試。
不同的電子元器件，提高產品抗ESD鈍力的措施不同。例如，對于MOS-FET、VDMOSFET、GaAs MESFET等器件，盡可能提高柵總寬度Wg；對于硅微波低噪聲晶體管，應盡可能提高B VEB擊穿電壓，增加發射極周長和面積，增加和改善EB結結構，并在輸入端增加脈沖吸收網絡；對靜電敏感IC的最易受損的管腳處（例如，在V cc和I/O管腳等處）安裝一個瞬態抑制器，即片式多層壓敏電阻器就能起到保護IC的作用；具有獨石結構的多層壓敏電阻器與MLCC結構類似，內電極與陶瓷薄層交錯并聯經端電極引出，除進一步實現瓷體薄層化降低擊穿電壓外，多層并聯使電極有效面積成倍增加，從而極大地提高其通流量和靜電容量值，并有效地縮小元件的體積與減輕重量。
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