在混合信號和RF應用領域，ESD保護HL2606電路的設計更具有挑戰性。對于混合信號集成電路來說，由于在芯片上的不同電路模塊通常具有不同的性能，而且通常使用不同的電源電壓，從1. 8V到50V甚至高。設計師需要選擇不同的ESD結構，以優化整個芯片的ESD性能。在絕大多數情況下，普適的ESD保護結構并不存在。在RF和VDSM lC ESD保護設計中的主要挑戰來自于ESD網絡和核心IC電路保護的本身的相互影響。ESD設計時首先要求芯片尺寸小，再次就是ESD誘導的寄生效應（即RC延遲和噪聲）盡可能小。需要注意的是，對于不同的工藝，ESD并不是通用的，即使采用同一種工藝，不同的產品系列所采用的結構也是不同的。成功的ESD設計，需要采用定制的手段，采用具體的優化。