針對GaAs FET器件的失效模式，采取相應的設計措施
發布時間:2012/4/28 19:56:22 訪問次數:1057
有關GaAs FET的可靠性研究，1975年開始6B595N就有報告。早期的報告幾乎全是關于耿氏二極管和碰撞雪崩二極管的失效分析，普遍認為器件特性的不良和劣化的原因主要由歐姆接觸不良引起；器件的損壞主要由歐姆電極金屬的電遷移引起，并把它作為主要的失效模式。GaAs FET的幾種主要失效模式為：源一漏歐姆接觸電阻劣變，由浪涌脈沖造成電極的破壞，通電工作時器件特性的漂移等。因此，要實現GaAsET的可靠性就要通過采取可靠性措施，消除和控制這些主要失效模式，表4.24是針對GaAs FET器件不同的失效（不良）模式所采取的可靠性設計措施。
有關GaAs FET的可靠性研究，1975年開始6B595N就有報告。早期的報告幾乎全是關于耿氏二極管和碰撞雪崩二極管的失效分析，普遍認為器件特性的不良和劣化的原因主要由歐姆接觸不良引起；器件的損壞主要由歐姆電極金屬的電遷移引起，并把它作為主要的失效模式。GaAs FET的幾種主要失效模式為：源一漏歐姆接觸電阻劣變，由浪涌脈沖造成電極的破壞，通電工作時器件特性的漂移等。因此，要實現GaAsET的可靠性就要通過采取可靠性措施，消除和控制這些主要失效模式，表4.24是針對GaAs FET器件不同的失效（不良）模式所采取的可靠性設計措施。
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相關技術資料- 4-28針對GaAs FET器件的失效模式，采取相應的設計措施
- 4-27失效模式與工藝的楣關性分析及工藝控制要求
公網安備44030402000607
