GaAs FET器件表面的鈍化層對可LM311P靠性有較大的影響，例如高輸出GaAsFET通電老化時直流特性和微波特性劣化就是典型的例子。人們對有和無鈍化層的器件，給柵加反偏通電老化，結果各異。實驗證明，用腐蝕方法處理特性劣化的器件表面后，發現特性有某種程度的恢復。備廠家不同鈍化層的樣品進行通電老化后的實驗結果如表4. 25所示。

    實驗結果表明，盡管不同器件廠的制造工藝存在差別，但用SiN形成的鈍化膜效果最好。器件特性的劣化機理和鈍化效果，可以用和發光現象有關的光增值反應來解釋。
    另外，SiN的鈍化效果，從通電老化后的結果，也可以看出高電場和電極金屬層有關，其他有明顯效果的現象還未發現。MESFET放大器的特性時間漂移和鈍化膜的關系正在進行研究。
    漏電流的漂移
    對漂移現象，主要是襯底界面陷阱和表面吸附所致，對此種失效模式可采用表面鈍化的方法將其消除。實驗證明，漂移現象在FET的靜態特性中和通常所說的滯后效應無關。