用PNP晶體管制作的偏置電路
發布時間:2012/5/11 20:21:47 訪問次數:1443
圖4.12只是在圖4.4設計的電FM24C04C-GTR路的偏置電路部分，它是用PNP晶體管制作的。
射極跟隨器的偏置電路只要與射極跟隨器部分產生熱耦合，使V BE同時變化就可以了，所以使用PNP晶體管是完全沒有問題的。
電路本身因發射極電流流動方向不同，與圖4.4的偏置電路相比，發射極與集電極變成相反的，但僅僅是V BE的極性不同，設計方法與使用NPN晶體管時完全一樣。
圖4.12只是在圖4.4設計的電FM24C04C-GTR路的偏置電路部分，它是用PNP晶體管制作的。
射極跟隨器的偏置電路只要與射極跟隨器部分產生熱耦合，使V BE同時變化就可以了，所以使用PNP晶體管是完全沒有問題的。
電路本身因發射極電流流動方向不同，與圖4.4的偏置電路相比，發射極與集電極變成相反的，但僅僅是V BE的極性不同，設計方法與使用NPN晶體管時完全一樣。
上一篇：聲頻放大器的性能
上一篇：由PNP晶體管進行電壓放大的電路
相關技術資料- 5-11用PNP晶體管制作的偏置電路
公網安備44030402000607
