輸入級采用晶體管的電流反饋型放大器
發布時間:2012/5/26 14:35:22 訪問次數:1828
圖7.7所示的電路中,為了簡化電路結構,輸入部分的TMS320DM6437ZWT6緩沖放大器使用了JFET的推挽源極跟隨器。但是,JFET的源極跟隨器的輸出阻抗不怎么低。因此,它的工作距理想的電流反饋有一定的偏離(因為電流反饋型放大器反轉輸入端的輸入阻抗可以認為是零)。
另外源極跟隨器本身的輸出電流也被FET的IDSS限制。而且由于N溝JFET和P溝JFET VGS存在的分散性,導致發生比較大的輸出偏移電壓(在本章的實驗中,如照片7.7所示,也發生了140mV的輸出偏移電壓)。
圖7.14是將JFET推挽源極跟隨器置換為2級直接耦合推挽射極跟隨器的電路。這個電路反轉輸入端的輸入阻抗非常低,所以能夠在接近理想的狀態下進行電流反饋。另外由于晶體管的VBE沒有JFET的VGS那樣大的分散性,所以電路的輸出偏移電壓也比使用源極跟隨器時小得多。
設計推挽射極跟隨器時,流過Tri和Tr2的發射極電流僅由發射極電阻(圖7.14中為7.5kQ)決定。Tri和Trz的基極偏置電壓都為零,所以加在發射極電阻上的電壓是從咆源電壓各自減去0. 6V的值(圖7.14中是14. 4V=15V-0.6V)。這個電壓除以設定該電壓所希望的發射極電流,就可以求得發射極電阻值。
如果Tri和Tr4以及Tr2和Tr3分別采用互補對,那么流過Tr3,Tr4的發射極電流等于流過Tri,Trz的發射極電流。這是因為Tr3與Tr4的發射極相互連接,所以Tri和Tr3以及Trz和Tr4的VBE的絕對值相等(VBE1一VBE3,VBE2一VBE4)的緣故(如果晶體管的特性相同的話,V BE的值相同時流過的發射極電流也相同)。圖7.14中,Tr3和Tr4的發射極電流與流過Tri和Trz的發射極電流相同,都是2mA。所以Tri和Tr4以及Tr2和Tr3有必要采用互補對。這里使用的是通用晶體管2SA1048/ 2SC2458互補對。在輸入端與Tri、Tr2的基極間串聯100Q的電阻目的是為了防止射極跟隨器產生振蕩。跨阻抗級以下電路的設計方法與圖7.7所示的電路完全相同。
圖7.7所示的電路中,為了簡化電路結構,輸入部分的TMS320DM6437ZWT6緩沖放大器使用了JFET的推挽源極跟隨器。但是,JFET的源極跟隨器的輸出阻抗不怎么低。因此,它的工作距理想的電流反饋有一定的偏離(因為電流反饋型放大器反轉輸入端的輸入阻抗可以認為是零)。
另外源極跟隨器本身的輸出電流也被FET的IDSS限制。而且由于N溝JFET和P溝JFET VGS存在的分散性,導致發生比較大的輸出偏移電壓(在本章的實驗中,如照片7.7所示,也發生了140mV的輸出偏移電壓)。
圖7.14是將JFET推挽源極跟隨器置換為2級直接耦合推挽射極跟隨器的電路。這個電路反轉輸入端的輸入阻抗非常低,所以能夠在接近理想的狀態下進行電流反饋。另外由于晶體管的VBE沒有JFET的VGS那樣大的分散性,所以電路的輸出偏移電壓也比使用源極跟隨器時小得多。
設計推挽射極跟隨器時,流過Tri和Tr2的發射極電流僅由發射極電阻(圖7.14中為7.5kQ)決定。Tri和Trz的基極偏置電壓都為零,所以加在發射極電阻上的電壓是從咆源電壓各自減去0. 6V的值(圖7.14中是14. 4V=15V-0.6V)。這個電壓除以設定該電壓所希望的發射極電流,就可以求得發射極電阻值。
如果Tri和Tr4以及Tr2和Tr3分別采用互補對,那么流過Tr3,Tr4的發射極電流等于流過Tri,Trz的發射極電流。這是因為Tr3與Tr4的發射極相互連接,所以Tri和Tr3以及Trz和Tr4的VBE的絕對值相等(VBE1一VBE3,VBE2一VBE4)的緣故(如果晶體管的特性相同的話,V BE的值相同時流過的發射極電流也相同)。圖7.14中,Tr3和Tr4的發射極電流與流過Tri和Trz的發射極電流相同,都是2mA。所以Tri和Tr4以及Tr2和Tr3有必要采用互補對。這里使用的是通用晶體管2SA1048/ 2SC2458互補對。在輸入端與Tri、Tr2的基極間串聯100Q的電阻目的是為了防止射極跟隨器產生振蕩。跨阻抗級以下電路的設計方法與圖7.7所示的電路完全相同。
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