如果能使基極電流達到集TMS320F28015PZA電極電流的l/hFE倍，晶體管將處于導通狀態。考慮到hFE的分散性或者基極電流受溫度影響而變化等因素（因為VBE具有溫度特性，所以基極電流也隨溫度變化），應該使流過的基極電流稍大些。這叫做過驅動，通常設定為按所使用晶體管hFE的最低值計算得到的基極電流的1.5～2倍以上。
    由表8.1得知2SC2458的矗，。最低值是70，圖8.5中電路的負載電流為5mA，所以可以設定流過的基極電流大于o．ImA(( 5mA/70)×1.5)—0. 14mA《5mA/70)×2)。
    如圖8.11所示，由于基極電位是+0. 6V，所以輸入信號為+5V時R．上產生的電壓降為4.4V(但是要注意，達林頓連接時基極電位為+1.2V)。
    按照上述條件，為使晶體管處于導通狀態要求流過的基極電流為0.2mA，所以R，一22kQ(一4.4V/O. 2mA)（但是忽略了流過R2的電流）。
    R2是輸入端開路時確保晶體管處于截止狀態的電阻。如果R2過大，將容易受噪聲的干擾，過小則在晶體管處于導通狀態時會有無用電流流過R20這里設定R2=22kQ（與Ri值相同）。
    最近，已經有些廠家產生出如圖8.12所示那樣內藏有偏置電阻的晶體管產品。R1、R2電阻也有各種取值。如果使用內藏電阻的晶體管將會減少電路的元件數目，這對于開關電路是很方便的。