圖2.7是FET簡LM224N單的的結構示意圖（P溝FET是P型半導體部分與N型半導體部分互換）。

   (JFET工作時柵極與溝道間的二極管處于截止狀態，所以幾乎沒有電流流過柵極。MOSFET的柵極與溝道間有絕緣膜，電流的流動更困難)
    如圖2.8所示，雙極晶體管的基極一發射極間以及基極一集電極間分別是兩個PN結，就是說存在著二極管。JFET．的柵極與溝道（把輸出電路流過漏極一源極間的部分稱為溝道）間有PN結，所以認為存在著二極管(由于有PN結，所以稱為結型FET)。（晶體管有兩個PN結。可以把PN結看作是二極管，晶體管可以認為是基極一發射極間以及基極一集電極間各有一個二極管）
    雙極晶體管的基極一發射極間的二極管總是工作在導通狀態，而JFET的柵極一溝道間的二極管工作在截止狀態。
    因此FET的柵極一溝道間流過的電流很小，只相當于二極管的反向漏電流，所以器件本身的輸入阻抗比雙極晶體管高得多（約l08～1012Q）。

             
    MOSFET的柵極是由金屬構成的，它與半導體溝道之間有一層絕緣膜，形成三層結構。所謂MOS，就是因為實際的結構是由金屬(M)、絕緣膜(如氧化膜，0)和半導體(S)組成。
    MOSFET的特點是柵極與溝道間有絕緣膜，柵極與溝道是絕緣的，所以流過柵極的電流比JFET還要小很多。因此，輸入阻抗也比JFET高得多(約l012～1014Q)。