高頻截止頻率
發布時間:2012/8/16 19:41:29 訪問次數:1238
圖3.16是高頻范圍電壓增益和LM78L05ACZ相位的頻率特性(lOOkHz～lOOMHz)。可以看出，增益隨著頻率的上升從9dB逐漸下降。同時相位也從180。（反相）逐漸變為O。（同相）。（在高頻測定中，使用的是將信號發生器與振幅。相位計組合起來的網絡分析器，能夠在1GHz以內準確地測定電壓增益和相位特性）
還可以看出，該電路的高頻截止頻率fCH——放大倍數降低3dB時的頻率為5MHz，直到較高的頻率都有響應。
圖3.17是圖2.2所示的雙極晶體管的發射極接地放大電路(AV=5)的頻率特性(截止頻率為3. 98MHz)。這個電路與設計的FET源極接地電路的增益不同，所以不能簡單地進行比較，不過它們還是有大體相同的特性。（是一例晶體管的發射極接地電路的頻率特性。截止頻率為3.98MHz，與圖3.16的電路有相似的特性）
圖3.16是高頻范圍電壓增益和LM78L05ACZ相位的頻率特性(lOOkHz～lOOMHz)。可以看出，增益隨著頻率的上升從9dB逐漸下降。同時相位也從180。（反相）逐漸變為O。（同相）。（在高頻測定中，使用的是將信號發生器與振幅。相位計組合起來的網絡分析器，能夠在1GHz以內準確地測定電壓增益和相位特性）
還可以看出，該電路的高頻截止頻率fCH——放大倍數降低3dB時的頻率為5MHz，直到較高的頻率都有響應。
圖3.17是圖2.2所示的雙極晶體管的發射極接地放大電路(AV=5)的頻率特性(截止頻率為3. 98MHz)。這個電路與設計的FET源極接地電路的增益不同，所以不能簡單地進行比較，不過它們還是有大體相同的特性。（是一例晶體管的發射極接地電路的頻率特性。截止頻率為3.98MHz，與圖3.16的電路有相似的特性）
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相關技術資料- 8-16高頻截止頻率
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