圖3. 36是N溝JFET與晶體管組M27C512-12F1合放大電路。原理上采用輸入阻抗高的FET作為初級源極接地放大電路，第2級采用能夠提高放大倍數的雙極晶體管發射極接地放大電路。電路的總增益通過輸出端向初級源極施加的反饋來固定。了用一個電阻偏置為OV的簡單電路結構。而且由于使用的是FET，所以能夠增大柵極偏置電阻的數值（因為FET沒有柵極電流流動，即使偏置電阻的值很大，在輸入端也不會產生直流電壓）。

    圖3.36的電路中，柵極偏置使用了lOMfl的電阻，設定電路的輸入阻抗值非常高(電路的輸入阻抗高達10MCl)。另外，由于柵極電位偏置為OV，所以輸入端就沒有必要插入耦合電容。
    第2級的發射極接地放大電路中由于發射極電阻被電容旁路，所以該級的增益很大。
    電路的總增益A由初級的源極電阻R。和反饋電阻Rf決定。在這個電路中，RS=loOfl,Rf =lokCZ，所以A≈100=40dB.
    當需要改變電路的增益時，可以只改變R。和Rf值。不過由于初級使用的是JFET，它本身的增益比雙極晶體管小，所以40dB的水平就是增益的上限。
    當希望提高增益時，如圖3.37所示，可以將第2級達林頓連接以提高視在的FE，使得提高整個電路施加負反饋之前的增益。這樣，增益的上限差不多能夠提高到50～60dB。