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并聯推挽源極跟隨器

發布時間:2012/8/18 14:02:37 訪問次數:2325

    圖5.7所介紹的功率放大UUC3843BN電路中,當必須的輸出電流超過輸出級所用MOS-FET的額定值時,如圖5.19所示,可以將多個源極跟隨器并聯接續,由各源極跟隨器分散提供電流。
    圖5.19的電路只畫出了并聯推挽源極跟隨器的部分。從這種電路中取出的電流可以比圖5.7電路中輸出電流多2倍。
    源極跟隨器并聯接續時必須注意的問題是并聯接續FET的VGS要一致(圖5.19中的Tr1與Tr3、Tr2與Tr4的VG。)。否則的話,就不能從各器件中流過均等的源極電流。特別是由于FET的VG。與晶體管的VBE不同,分散性很大,所以并聯接續的FET不僅要求器件VG。的檔次相同(功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分檔的),而且必須在mV量級上一致。

                          

    而且如圖5. 20所示當并聯接續的源極跟隨器數目較多時,不僅要求VGS -致,還必須強化驅動MOSFET的電路。功率放大用MOSFET的輸入電容很大,如果并聯接續的器件多,那么用簡單的電路就難以驅動MOSFET的輸入電容。
    圖5.20的電路中,在OP放大器后面插入了射極跟隨器以強化對MOSFET的驅動能力。

                
 

    圖5.7所介紹的功率放大UUC3843BN電路中,當必須的輸出電流超過輸出級所用MOS-FET的額定值時,如圖5.19所示,可以將多個源極跟隨器并聯接續,由各源極跟隨器分散提供電流。
    圖5.19的電路只畫出了并聯推挽源極跟隨器的部分。從這種電路中取出的電流可以比圖5.7電路中輸出電流多2倍。
    源極跟隨器并聯接續時必須注意的問題是并聯接續FET的VGS要一致(圖5.19中的Tr1與Tr3、Tr2與Tr4的VG。)。否則的話,就不能從各器件中流過均等的源極電流。特別是由于FET的VG。與晶體管的VBE不同,分散性很大,所以并聯接續的FET不僅要求器件VG。的檔次相同(功率MOS中不是按照IDSS而是按照VGS分檔的),而且必須在mV量級上一致。

                          

    而且如圖5. 20所示當并聯接續的源極跟隨器數目較多時,不僅要求VGS -致,還必須強化驅動MOSFET的電路。功率放大用MOSFET的輸入電容很大,如果并聯接續的器件多,那么用簡單的電路就難以驅動MOSFET的輸入電容。
    圖5.20的電路中,在OP放大器后面插入了射極跟隨器以強化對MOSFET的驅動能力。

                
 

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