1．實驗目的
    (l)掌握CMOS反相器W0603LF031000B-R1構成多諧振蕩器的工作原理。
    (2)加深對組合和時序邏輯電路的理解。
    (3)通過實驗掌握基本電路在實際生活中的應用。
    2．實驗電路與說明
    (1) CMOS反相器構成的多諧振蕩器
    由于矩形波包含豐富的高次諧波分量，故將通電后能自行產生矩形波脈沖的電路稱作多諧振蕩器。本實驗采用CMOS反相器、電阻和電容來構成多諧振蕩器電路，其電路原理如圖7.18所示。
    由于CMOS廈相器G，在輸入和輸出端之間并接電阻R，又在G．的輸入端和G：的輸出端接有電容C，電容C的充放電和G．及G：的反相作用使得電路不能處于穩定狀態，每當電容C的充電或放電使G，的輸入電壓過CMOS反相器的門限電平U，。（即1/2 Vn。）時，Uo，和U02的狀態在高低電平間翻轉一次，于是產生一系列矩形波（波形如圖7.18）。矩形波的周期r與尺、C的數值大小成正比。
    該電路也可接成可控多諧振蕩器。當A點懸空時，電路為自由振蕩；當A點接固定的高或低電平時，輸出電壓U02亦為高或低電平，電路停止振蕩。
    為了減少電容充放電過程中CMOS內部保護電路所承受的沖擊電流，防止鎖定效應，還經常在圖7. 18電路的G．輸入端串接一個較大的電阻R．，如圖7.19所示。Ri的加入，使矩形波的周期有所增大。

           
    (2)電路原理圖
    BP機呼叫電路原理圖如圖7.20所示。
    (3) BP機呼叫原理
    電路中，G，、G。構成音頻多諧振蕩器；G。、G。構成低頻多諧振蕩器，控制音頻振蕩間隔；G．、G：構成超低頻多諧振蕩器，控制呼叫間隔。D．、R，和VD：、R。起隔離、控制作用，使音頻振蕩器受低頻振蕩器的控制，而低頻振蕩器又受超低頻振蕩器的控制。當G．、G：構成的超低頻多諧振蕩器輸出低電平時，VD，的箝位作用使G，輸入為固定的低電平，低頻多諧振蕩器停振，B點為低電平，音頻振蕩器也停振，揚聲器不發聲；而超低頻多諧振蕩器輸出高電平時，VD，截止，G，、G。枸成的低頻多諧振蕩器產生振蕩，而它又通過VD：控制著G，、G。構成的音頻振蕩器工作。因此，C點輸出一個調制的音頻信號，使揚聲器發出“蛐一蛐一”的聲響。各級多諧振蕩器的輸出波形如圖7.21所示。
    電路中三極管接成射極跟隨器形式，防止音頻振蕩頻率受負載影響。