空穴導電的P型硅
發布時間:2013/2/22 19:33:04 訪問次數:1591
為了研究硅等半導體中的電流CAT4238TD-GT3流動情況，空穴也是一種很重要的考慮方法。空穴英文稱為hole，意思是“帶正電荷的空洞”。在這里我們首先了解一下空穴。
如毫“所示，單晶硅中加入微量Ⅲ族元素硼(B)，晶體中的硅原子一部分被硼原子替換。硼最外層有3個電子，比硅少1個，因此硼原子周圍有4個硅原子時，形成3個共價鍵，有一個硅原子不能結合。也就是說，缺少一個電子，或者是說處于少一個結合鍵的狀態。
單晶硅整體顯電中性，因此這個缺少電子之處，即是空穴，帶有與外部電子所帶負電荷大小相同、符號相反的正電荷。而且，在這個缺少電子之處，附近形成共價鍵的電子很容易進入，從而在其原來所在的地方形成空穴。所以給單晶硅上加電場時，電子移動方向與電場方向相反，而空穴則沿電場方向移動。
這種與電子符號相反電量相同的正電荷，在電場中可以容易地移動的假想粒子稱為空穴。如果把束縛電子比喻成水的話，空穴就是其中產生的“氣泡”。
空穴帶有正電荷( positive charge)，因此通過空穴傳導電流的硅禰為p型硅。也就是說，p型硅是以空穴為載流子的硅。p型硅中，電流流動方向與空穴運動方向一致。
如毫“所示，單晶硅中加入微量Ⅲ族元素硼(B)，晶體中的硅原子一部分被硼原子替換。硼最外層有3個電子，比硅少1個，因此硼原子周圍有4個硅原子時，形成3個共價鍵，有一個硅原子不能結合。也就是說，缺少一個電子，或者是說處于少一個結合鍵的狀態。
單晶硅整體顯電中性，因此這個缺少電子之處，即是空穴，帶有與外部電子所帶負電荷大小相同、符號相反的正電荷。而且，在這個缺少電子之處，附近形成共價鍵的電子很容易進入，從而在其原來所在的地方形成空穴。所以給單晶硅上加電場時，電子移動方向與電場方向相反，而空穴則沿電場方向移動。
這種與電子符號相反電量相同的正電荷，在電場中可以容易地移動的假想粒子稱為空穴。如果把束縛電子比喻成水的話，空穴就是其中產生的“氣泡”。
空穴帶有正電荷( positive charge)，因此通過空穴傳導電流的硅禰為p型硅。也就是說，p型硅是以空穴為載流子的硅。p型硅中，電流流動方向與空穴運動方向一致。
為了研究硅等半導體中的電流CAT4238TD-GT3流動情況，空穴也是一種很重要的考慮方法。空穴英文稱為hole，意思是“帶正電荷的空洞”。在這里我們首先了解一下空穴。
如毫“所示，單晶硅中加入微量Ⅲ族元素硼(B)，晶體中的硅原子一部分被硼原子替換。硼最外層有3個電子，比硅少1個，因此硼原子周圍有4個硅原子時，形成3個共價鍵，有一個硅原子不能結合。也就是說，缺少一個電子，或者是說處于少一個結合鍵的狀態。
單晶硅整體顯電中性，因此這個缺少電子之處，即是空穴，帶有與外部電子所帶負電荷大小相同、符號相反的正電荷。而且，在這個缺少電子之處，附近形成共價鍵的電子很容易進入，從而在其原來所在的地方形成空穴。所以給單晶硅上加電場時，電子移動方向與電場方向相反，而空穴則沿電場方向移動。
這種與電子符號相反電量相同的正電荷，在電場中可以容易地移動的假想粒子稱為空穴。如果把束縛電子比喻成水的話，空穴就是其中產生的“氣泡”。
空穴帶有正電荷( positive charge)，因此通過空穴傳導電流的硅禰為p型硅。也就是說，p型硅是以空穴為載流子的硅。p型硅中，電流流動方向與空穴運動方向一致。
如毫“所示，單晶硅中加入微量Ⅲ族元素硼(B)，晶體中的硅原子一部分被硼原子替換。硼最外層有3個電子，比硅少1個，因此硼原子周圍有4個硅原子時，形成3個共價鍵，有一個硅原子不能結合。也就是說，缺少一個電子，或者是說處于少一個結合鍵的狀態。
單晶硅整體顯電中性，因此這個缺少電子之處，即是空穴，帶有與外部電子所帶負電荷大小相同、符號相反的正電荷。而且，在這個缺少電子之處，附近形成共價鍵的電子很容易進入，從而在其原來所在的地方形成空穴。所以給單晶硅上加電場時，電子移動方向與電場方向相反，而空穴則沿電場方向移動。
這種與電子符號相反電量相同的正電荷，在電場中可以容易地移動的假想粒子稱為空穴。如果把束縛電子比喻成水的話，空穴就是其中產生的“氣泡”。
空穴帶有正電荷( positive charge)，因此通過空穴傳導電流的硅禰為p型硅。也就是說，p型硅是以空穴為載流子的硅。p型硅中，電流流動方向與空穴運動方向一致。
相關技術資料- 2-22空穴導電的P型硅
- 相關IC型號
- CAT4238TD-GT3
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