MOS晶體管
發布時間:2013/2/22 20:03:42 訪問次數:1097
MOS晶體管的兩個種類、n溝道型與p溝道CLC005AJE-TR13型在和中已經介紹過了，將這兩種晶體管一起構成的電路稱為CMOS（相輔型MOS）。相輔型是p溝道型和n溝道型的MOS晶體管相互輔助的意思。
CMOS與單獨的n溝道型或者p溝道型MOS單晶體相比，制造更加復雜，制造成本更高，但是由于其耗電少的特征，使手機、手提電腦等電池備份型移動設備的出現成為可能。
是p型硅基板的CMOS結構模型。由于CMOS中n溝道型和p溝道型兩種MOS晶體管必須在同一基板上使用，所以有必要在基板較
深處添加能夠導電的雜質，這種雜質稱為阱( well)。
中p型硅基板中形成n溝道MOS晶體管，n阱中形成p溝道MOS晶體管。像這樣運用一種阱的器件稱為“單阱”，兩種的稱為
“雙阱”，三種的稱為“三阱”，根據使用目的的不同而分開使用。
MOS晶體管的柵極電極所用的多晶硅(poly-Si)根據雜質導電型可以分為n型和p型，如果在n溝道側使用n型多晶硅，在p溝道側使用p型多晶硅，能夠提高器件的性能。
表示的是根據硅基板的導電型、柵極電極的導電型與阱結構類型的不同而進行分類的CMOS例子。
CMOS與單獨的n溝道型或者p溝道型MOS單晶體相比，制造更加復雜，制造成本更高，但是由于其耗電少的特征，使手機、手提電腦等電池備份型移動設備的出現成為可能。
是p型硅基板的CMOS結構模型。由于CMOS中n溝道型和p溝道型兩種MOS晶體管必須在同一基板上使用，所以有必要在基板較
深處添加能夠導電的雜質，這種雜質稱為阱( well)。
中p型硅基板中形成n溝道MOS晶體管，n阱中形成p溝道MOS晶體管。像這樣運用一種阱的器件稱為“單阱”，兩種的稱為
“雙阱”，三種的稱為“三阱”，根據使用目的的不同而分開使用。
MOS晶體管的柵極電極所用的多晶硅(poly-Si)根據雜質導電型可以分為n型和p型，如果在n溝道側使用n型多晶硅，在p溝道側使用p型多晶硅，能夠提高器件的性能。
表示的是根據硅基板的導電型、柵極電極的導電型與阱結構類型的不同而進行分類的CMOS例子。
MOS晶體管的兩個種類、n溝道型與p溝道CLC005AJE-TR13型在和中已經介紹過了，將這兩種晶體管一起構成的電路稱為CMOS（相輔型MOS）。相輔型是p溝道型和n溝道型的MOS晶體管相互輔助的意思。
CMOS與單獨的n溝道型或者p溝道型MOS單晶體相比，制造更加復雜，制造成本更高，但是由于其耗電少的特征，使手機、手提電腦等電池備份型移動設備的出現成為可能。
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深處添加能夠導電的雜質，這種雜質稱為阱( well)。
中p型硅基板中形成n溝道MOS晶體管，n阱中形成p溝道MOS晶體管。像這樣運用一種阱的器件稱為“單阱”，兩種的稱為
“雙阱”，三種的稱為“三阱”，根據使用目的的不同而分開使用。
MOS晶體管的柵極電極所用的多晶硅(poly-Si)根據雜質導電型可以分為n型和p型，如果在n溝道側使用n型多晶硅，在p溝道側使用p型多晶硅，能夠提高器件的性能。
表示的是根據硅基板的導電型、柵極電極的導電型與阱結構類型的不同而進行分類的CMOS例子。
CMOS與單獨的n溝道型或者p溝道型MOS單晶體相比，制造更加復雜，制造成本更高，但是由于其耗電少的特征，使手機、手提電腦等電池備份型移動設備的出現成為可能。
是p型硅基板的CMOS結構模型。由于CMOS中n溝道型和p溝道型兩種MOS晶體管必須在同一基板上使用，所以有必要在基板較
深處添加能夠導電的雜質，這種雜質稱為阱( well)。
中p型硅基板中形成n溝道MOS晶體管，n阱中形成p溝道MOS晶體管。像這樣運用一種阱的器件稱為“單阱”，兩種的稱為
“雙阱”，三種的稱為“三阱”，根據使用目的的不同而分開使用。
MOS晶體管的柵極電極所用的多晶硅(poly-Si)根據雜質導電型可以分為n型和p型，如果在n溝道側使用n型多晶硅，在p溝道側使用p型多晶硅，能夠提高器件的性能。
表示的是根據硅基板的導電型、柵極電極的導電型與阱結構類型的不同而進行分類的CMOS例子。
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