絕緣柵場效應管是一種柵極與源極、漏極之間CAT24C256WI-GT3有絕緣層的場效應管，簡稱MOS管。絕緣柵場效應管也有N溝道型及P溝道型兩種結構形式。無論是N溝道型或P溝道型，都有增強型和耗盡型兩種。
    N溝道增強型絕緣柵場效應管  以P型硅片為作為襯底，其間擴散兩個高摻雜的N+區并引出兩個電極，作為源極S和漏極
D。制作場效應管時先在半導體上制作S102絕緣層，之后在Si02上制作一層金屬鋁，引出電極作為柵極G，此時的P型半導體稱為襯底B。N溝道增強型絕緣柵場效應管的結構及符號，如圖8-6所示。
    絕緣柵型場效應管的特點是輸入電阻高，噪聲小。
    在通常情況下，源極一般都是與襯底相連，即UBS =0。為保證N溝道增強型MOS管正常工作，應達到如下條件。
    》Ucs =0時，漏源之間是相當于兩只背靠背的PN結，木論UDS極性，兩個PN結中總有一個PN結反偏，即不存在導電溝道。
Ucs必須大于o(UcS>O)，場效應管才能工作。

           
    >漏極對源極的電壓UDS必須為正值(UDS >0)。在漏極電壓作用下，源區電子沿導電溝道行進到漏區，產生自漏極流向源極的電流。