以金屬和半導體接觸形成的DK2A-48V(61102M,61228M)勢壘為基礎的二極管稱為肖特基勢壘二極管( SBD，SchottkyBarrier Diode)，簡稱為肖特基二極管。它是近年來問世的低功耗、大電流、超高速的半導體器件。其反向恢復時間極短，可小到幾納秒，正向導通壓降僅0.4V左右，而工作電流卻可達到幾千安。
    結構和性能特點
    肖特基二極管的內部結構如圖4-54所示。它是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-處延層。陽極（阻擋層）材料選用貴金屬鉬。二氧化硅用來消除邊緣區域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度較N-層要高100倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數，可在基片與陽極金屬之間形成合適的肖特基勢壘。當加上正偏壓E時，金屬A和N型基斤B分別接電源的正、負極，此時勢壘寬度bo變窄；當加負偏壓-E時，勢壘寬度就增加，如圖4-55所示。可見，肖特基二極管與PN結二極管在構造原理上有很大區別。這種二極管的缺點在于：當所能承受的反向耐壓提高時，其正向壓降也會高圖4-54  肖特基二極管的內部結構得不能滿足要求，因此多用于200V以下低壓、大電流場合；其反向漏電流較大且對溫度比較敏感，因此其反向穩態損耗不能忽略，而且必須更嚴格地限制其工作溫度。肖特基二極管的典型伏安特性曲線如圖4-56所示。
    肖特基二極管的封裝形式有引腳式封裝和貼片式封裝兩種，這兩種封裝形式又有單二極管與雙二極管之分。單二極管有兩個電極引腳，雙二極管有三個電極引腳。雙二極管封裝形式中又分為共陰極、共陽極及串聯式3種方式。引腳式肖特基二極的外形及內電路如圖4-57所示。貼片式肖特基二極管的外形結構及內電路如圖4-58所示。