靜態特性與參數
發布時間:2013/5/27 20:04:15 訪問次數:1155
共射極電路的輸出特性是指集電結E6B2-CWZ6C 360P/R的電壓一電流特性,如圖7-5所示。圖中將GTR的工作狀態分為4個明顯不同的區域:阻斷區、線性區、準飽和區和深飽和區。阻斷區又稱為截止區,其特征類似于開關處于斷態的情況,該區對于基極電流厶為零的條件,GTR承受高電壓而僅有極小的漏電流存在。在這一區域發射結和集電結均處于反向偏置狀態。線性區又稱為放大區,晶體管工作在這一區域時,集電極電流與基極電流間呈線性關系,特性曲線近似平直。該區的特點是集電結仍處于反向偏置而發射結改為正向偏置狀態,對工作于開關狀態的GTR來說,應當盡量避免工作于線性區,否則功耗將會很大。深飽和區的特征類似于開關處于接通的情況,在這一區域中基極電流變化時集電極電流不再隨之變化,電流增益與導通電壓均很小。工作于這一區域的GTR其發射結和集電結均處于正向偏置狀態。準飽和區是指線性區與深飽和區之間的一段區域,即特性曲線明顯彎曲的部分,在此區域中隨著基極屯流的增加開始出現基區寬度調制效應,電流增益開始下降,集電極電流與基極電流之間不再呈線性關系,但仍保持著集電結反向偏置、發射結正向偏置的特點。
2.飽和壓降特性
處于深飽和區的GTR集電極電壓稱作飽和壓降,用Ue表示。此時的基射極電壓稱作基極正向壓降,用Ub。表示。它們是大功率應用中的兩項重要指標,直接關系到器件的導通功率損耗。
飽和壓降Uce一般隨著集電極電流的增加而增加,在I不變的情況下,Ue。隨殼溫的增加而增加。
基極正向壓降bes也是隨著集電極電流的增加而增加,但與溫度的關系要復雜一些。在小電流情況下,溫度增加時Ub。。減小;在大電流情況下,溫度增加時Ube。增大。
達林頓結構的GTR不可能進入深飽和區,因而飽和壓降也較大。
3.共射極電流增益∥
共射極電流增益∥是指共射極電路中GTR集電極電流t與基極電流厶的比值,它表示GTR的電流放大能力。
在正向偏置情況小電流條件下,∥隨集電極電流t減小而減小;在中間電流范圍內,∥值隨溫度的增加而增加;在大電流情況下∥值隨溫度的增加而減小;在管殼溫度te和集電極電流t相同的條件下,正向電流增益∥隨集電極電壓Ue。的增加而增加。
GTR在反向接法時.由于把原來的集電區作為發射區使用,其摻雜濃度低,注入能力很小,因此反向電流增益歷艮小。
共射極電路的輸出特性是指集電結E6B2-CWZ6C 360P/R的電壓一電流特性,如圖7-5所示。圖中將GTR的工作狀態分為4個明顯不同的區域:阻斷區、線性區、準飽和區和深飽和區。阻斷區又稱為截止區,其特征類似于開關處于斷態的情況,該區對于基極電流厶為零的條件,GTR承受高電壓而僅有極小的漏電流存在。在這一區域發射結和集電結均處于反向偏置狀態。線性區又稱為放大區,晶體管工作在這一區域時,集電極電流與基極電流間呈線性關系,特性曲線近似平直。該區的特點是集電結仍處于反向偏置而發射結改為正向偏置狀態,對工作于開關狀態的GTR來說,應當盡量避免工作于線性區,否則功耗將會很大。深飽和區的特征類似于開關處于接通的情況,在這一區域中基極電流變化時集電極電流不再隨之變化,電流增益與導通電壓均很小。工作于這一區域的GTR其發射結和集電結均處于正向偏置狀態。準飽和區是指線性區與深飽和區之間的一段區域,即特性曲線明顯彎曲的部分,在此區域中隨著基極屯流的增加開始出現基區寬度調制效應,電流增益開始下降,集電極電流與基極電流之間不再呈線性關系,但仍保持著集電結反向偏置、發射結正向偏置的特點。
2.飽和壓降特性
處于深飽和區的GTR集電極電壓稱作飽和壓降,用Ue表示。此時的基射極電壓稱作基極正向壓降,用Ub。表示。它們是大功率應用中的兩項重要指標,直接關系到器件的導通功率損耗。
飽和壓降Uce一般隨著集電極電流的增加而增加,在I不變的情況下,Ue。隨殼溫的增加而增加。
基極正向壓降bes也是隨著集電極電流的增加而增加,但與溫度的關系要復雜一些。在小電流情況下,溫度增加時Ub。。減小;在大電流情況下,溫度增加時Ube。增大。
達林頓結構的GTR不可能進入深飽和區,因而飽和壓降也較大。
3.共射極電流增益∥
共射極電流增益∥是指共射極電路中GTR集電極電流t與基極電流厶的比值,它表示GTR的電流放大能力。
在正向偏置情況小電流條件下,∥隨集電極電流t減小而減小;在中間電流范圍內,∥值隨溫度的增加而增加;在大電流情況下∥值隨溫度的增加而減小;在管殼溫度te和集電極電流t相同的條件下,正向電流增益∥隨集電極電壓Ue。的增加而增加。
GTR在反向接法時.由于把原來的集電區作為發射區使用,其摻雜濃度低,注入能力很小,因此反向電流增益歷艮小。
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