最大額定值
發布時間:2013/5/27 20:06:08 訪問次數:1151
最大額定值是指允許E6B2-CWZ6C 400P/R施加于電力晶體管GTR上的電壓、電流、耗散功率以及結溫等的極限數值。它們是由GTR的材料性能、結構方式、設計水平和制造工藝等因素決定的，在使用中絕對不能超越這些參數極限。
(1)最高電壓額定值。
最高集電極電壓額定值是指集電極的擊穿電壓值，它不僅因器件不同而不同，即使是同一器件，又會由于基極電路條件的不同而不同。
發射極電壓最大額定值是指在集電極開路條件下，發射結允許的最高反向偏置電壓，通常用B Ueb。表示。由于發射區摻雜濃度很高，具有很高的注入效率，所以日Ueb。通常只有幾伏，典型值為8V。
(2)最大電流額定值。
集電極電流額定值/cm有兩種規定方法：①以劇直的下降情況為尺度來確定/cm；②以結溫和耗散功率為尺度來確定/cm，這主要是考慮GTR在低壓范圍內使用時，飽和壓降對功率損耗的影響已不可忽視，在這種情況下以允許耗散功率的大小來確定/cm。
脈沖電流額定值的依據是引起內部引線熔斷的集電極電流，或是引起集電結損壞的集電極電流；或以直流/cm的1.5～3倍定額脈沖/cm。
基極電流額定值/bm，規定為電力晶體管內引線允許流過的最大基極電流，通常取/bmz(1，2~1／6)與/cm相比通常裕量很大。
(3)最高結溫額定值。
GTR的最高結溫Tnu是由半導體材料性質、器件鈍化工藝、封裝質量以及其可靠性要求等因素所決定。一般情況下，塑料封裝的硅管結溫‰為125～150℃，金屬封裝的硅管Tnu為150～175℃，高可靠平面管的TJM為175～200℃。
(4)最大功耗額定值。
是指GTR在最高允許結溫時所對應的耗散功率，它受結溫的限制，其大小主要由集電結工作電壓、電流的乘積決定。由于這部分能量將轉化為熱能并使GTR發熱，因此GTR在使用中的散熱條件是十分重要的，如果散熱條件不好，器件會因溫度過高而損壞。
(1)最高電壓額定值。
最高集電極電壓額定值是指集電極的擊穿電壓值，它不僅因器件不同而不同，即使是同一器件，又會由于基極電路條件的不同而不同。
發射極電壓最大額定值是指在集電極開路條件下，發射結允許的最高反向偏置電壓，通常用B Ueb。表示。由于發射區摻雜濃度很高，具有很高的注入效率，所以日Ueb。通常只有幾伏，典型值為8V。
(2)最大電流額定值。
集電極電流額定值/cm有兩種規定方法：①以劇直的下降情況為尺度來確定/cm；②以結溫和耗散功率為尺度來確定/cm，這主要是考慮GTR在低壓范圍內使用時，飽和壓降對功率損耗的影響已不可忽視，在這種情況下以允許耗散功率的大小來確定/cm。
脈沖電流額定值的依據是引起內部引線熔斷的集電極電流，或是引起集電結損壞的集電極電流；或以直流/cm的1.5～3倍定額脈沖/cm。
基極電流額定值/bm，規定為電力晶體管內引線允許流過的最大基極電流，通常取/bmz(1，2~1／6)與/cm相比通常裕量很大。
(3)最高結溫額定值。
GTR的最高結溫Tnu是由半導體材料性質、器件鈍化工藝、封裝質量以及其可靠性要求等因素所決定。一般情況下，塑料封裝的硅管結溫‰為125～150℃，金屬封裝的硅管Tnu為150～175℃，高可靠平面管的TJM為175～200℃。
(4)最大功耗額定值。
是指GTR在最高允許結溫時所對應的耗散功率，它受結溫的限制，其大小主要由集電結工作電壓、電流的乘積決定。由于這部分能量將轉化為熱能并使GTR發熱，因此GTR在使用中的散熱條件是十分重要的，如果散熱條件不好，器件會因溫度過高而損壞。
最大額定值是指允許E6B2-CWZ6C 400P/R施加于電力晶體管GTR上的電壓、電流、耗散功率以及結溫等的極限數值。它們是由GTR的材料性能、結構方式、設計水平和制造工藝等因素決定的，在使用中絕對不能超越這些參數極限。
(1)最高電壓額定值。
最高集電極電壓額定值是指集電極的擊穿電壓值，它不僅因器件不同而不同，即使是同一器件，又會由于基極電路條件的不同而不同。
發射極電壓最大額定值是指在集電極開路條件下，發射結允許的最高反向偏置電壓，通常用B Ueb。表示。由于發射區摻雜濃度很高，具有很高的注入效率，所以日Ueb。通常只有幾伏，典型值為8V。
(2)最大電流額定值。
集電極電流額定值/cm有兩種規定方法：①以劇直的下降情況為尺度來確定/cm；②以結溫和耗散功率為尺度來確定/cm，這主要是考慮GTR在低壓范圍內使用時，飽和壓降對功率損耗的影響已不可忽視，在這種情況下以允許耗散功率的大小來確定/cm。
脈沖電流額定值的依據是引起內部引線熔斷的集電極電流，或是引起集電結損壞的集電極電流；或以直流/cm的1.5～3倍定額脈沖/cm。
基極電流額定值/bm，規定為電力晶體管內引線允許流過的最大基極電流，通常取/bmz(1，2~1／6)與/cm相比通常裕量很大。
(3)最高結溫額定值。
GTR的最高結溫Tnu是由半導體材料性質、器件鈍化工藝、封裝質量以及其可靠性要求等因素所決定。一般情況下，塑料封裝的硅管結溫‰為125～150℃，金屬封裝的硅管Tnu為150～175℃，高可靠平面管的TJM為175～200℃。
(4)最大功耗額定值。
是指GTR在最高允許結溫時所對應的耗散功率，它受結溫的限制，其大小主要由集電結工作電壓、電流的乘積決定。由于這部分能量將轉化為熱能并使GTR發熱，因此GTR在使用中的散熱條件是十分重要的，如果散熱條件不好，器件會因溫度過高而損壞。
(1)最高電壓額定值。
最高集電極電壓額定值是指集電極的擊穿電壓值，它不僅因器件不同而不同，即使是同一器件，又會由于基極電路條件的不同而不同。
發射極電壓最大額定值是指在集電極開路條件下，發射結允許的最高反向偏置電壓，通常用B Ueb。表示。由于發射區摻雜濃度很高，具有很高的注入效率，所以日Ueb。通常只有幾伏，典型值為8V。
(2)最大電流額定值。
集電極電流額定值/cm有兩種規定方法：①以劇直的下降情況為尺度來確定/cm；②以結溫和耗散功率為尺度來確定/cm，這主要是考慮GTR在低壓范圍內使用時，飽和壓降對功率損耗的影響已不可忽視，在這種情況下以允許耗散功率的大小來確定/cm。
脈沖電流額定值的依據是引起內部引線熔斷的集電極電流，或是引起集電結損壞的集電極電流；或以直流/cm的1.5～3倍定額脈沖/cm。
基極電流額定值/bm，規定為電力晶體管內引線允許流過的最大基極電流，通常取/bmz(1，2~1／6)與/cm相比通常裕量很大。
(3)最高結溫額定值。
GTR的最高結溫Tnu是由半導體材料性質、器件鈍化工藝、封裝質量以及其可靠性要求等因素所決定。一般情況下，塑料封裝的硅管結溫‰為125～150℃，金屬封裝的硅管Tnu為150～175℃，高可靠平面管的TJM為175～200℃。
(4)最大功耗額定值。
是指GTR在最高允許結溫時所對應的耗散功率，它受結溫的限制，其大小主要由集電結工作電壓、電流的乘積決定。由于這部分能量將轉化為熱能并使GTR發熱，因此GTR在使用中的散熱條件是十分重要的，如果散熱條件不好，器件會因溫度過高而損壞。
相關技術資料- 5-27最大額定值
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