簡單來說，IGBT相當于EA2-9一個由EA2-9驅動的厚基區PNP晶體管。它的簡化等效電路如圖9-1 (b)所示，圖中氐為PNP晶體管基區內的調制電阻。從該等效電路可以清楚地看出，IGBT是用晶體管和功率MOSFET組成的復合器件。因為圖中的晶體管為PNP型晶體管，MOSFET為N溝道場效應晶體管，所以這種結構的IGBT稱為N溝道IGBT。類似地還有P溝道IGBT。IGBT是一種場控器件，它的開通和關斷由柵極和發射極間電壓UGE決定。當柵射極電壓UG。為正且大于開啟電壓UG。(th)時，MOSFET內形成溝道并為PNP晶體管提供基極電流進而使IGBT導通。此時，從P+區注入N的空穴（少數載流子）對N區進行電導調制，減小N一區的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很低的通態壓降。當柵射極間不加信號或加反向電壓時，MOSFET內的溝道消失，則PNP晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關斷。由此可見，IGBT的驅動原理與MOSFET基本相同。
    IGBT的靜態特性包括轉移特性和輸出特性。
     轉移特性。
    IGBT轉移特性是描述榘電極電流k與柵射電壓UG。之間的相互關系，如圖9-2 (a)所示。此特性與功率MOSFET的轉移特性相似。由圖9-2 (a)可知，丘與UGE基本呈線性關系，只有當UG。在UG。㈤附近時才呈非線性關系。當柵射電壓UGE小于UG。(m)時，IGBT處于關斷狀態；當UG。大于UG。(th)時，IGBT開始導通。由此可知，GE(th)是IGBT能實現電導調制而導通的最低柵射電壓。UG隨溫度升高略有下降，溫度每升高l℃，其值下降5mV左右。在25℃時，IGBT的開啟電壓UGE(th) -般為2～6V。
     圖9-2 IGBT的靜態特性曲線