真空度與電離噪聲
發布時間:2013/7/16 20:24:32 訪問次數:946
電子管內的真空度很重要。因為管內那些起初沒有帶電的氣體分子，可能會被飛向陽極的高速電子所撞擊，被驅逐出電子后變成正的氣體離子。AZ1117T-1.8這些帶正電荷的離子被陽極排斥，同時又被陰極／柵極構造吸引，于是在這些離子到達之后，就會有同樣數量的電子從外部通路流到地線，立即對這些離子作放電。這些離子的形成，以及陰極／柵極構造隨之而進行的放電，均是隨機的，因此，這個過程導致了隨機噪聲電流的出現，從而形成了電離噪聲(ionization noise)。
只有電離噪聲電流流經外接電阻，比如柵漏電阻，才會帶來問題。在這個外接電阻上，電離噪聲電流形成的電壓遵從歐姆定律。由于電子管是壓控器件（Va ocVgk或/aoc Vgk），電離噪聲電壓會被放大。如果柵漏電阻為零，則電離電流就不能變成一個噪聲電壓。
為了獲得優良的噪聲性能，低噪聲輸入級使用高肛管。由于噪聲性能主要由第一級電路決定，這樣，輸入級之后的電路有沒有使用高p管，也不會帶來明顯影響。但高“管的柵極絲排布細密，離子不去撞擊陰極、卻撞擊柵極的可能性大大增加。柵漏電阻R。往往取較大的阻值，因此，就會形成明顯的噪聲電壓，并會被電子管敢大。柵極有效地遮擋了陰極，于是，就只很少的離子撞擊陰極，陰極的電離電流得以大大減小。與此同時，接地的陰極電阻鳳即使沒有并聯退耦電容，其阻值也比柵漏電阻小。所以，陰極電路上形成的電離噪聲電壓得以進一步減小。高“管電路的電離噪聲，主要是柵極電離噪聲電流貢獻的。電容耦合相比，如果采用變壓器作輸入耦合，則可以在低頻段上，令電離噪聲電流的影響減小。（在很低的頻率上，變壓器耦合有次級，，這是相當小的；而電容耦合則有Xc≈oo，因此，電容耦合將產生更多的呈l/f規律的噪聲。）
為了盡量減小密勒電容，保證有足夠的帶寬，輸出級電路往往使用低∥管。但低“管的柵極絲排布粗疏，離子撞擊的對象更偏向于陰極。低,u管工作時，需要較高幅值的偏置電壓（Vgk），因此，風的值也較大。陰極在電離電流中所占的比例增大，再加上Rk值較大，這兩項因素綜合之下，如果想盡量減小電離噪聲電流的影響，低Ⅳ管的陰極就不能不設退耦電容。
真空度好時，可以當作是硬(hard)真空，而真空度差，則可稱作軟(sofi)真空。因此，英文中有時稱電子管已經“變軟了(gone sofi)”。在制造的時候，電子管內的空氣被抽走，怛仍會留有一些空氣，這些空氣需要由消氣劑(getter)來除掉。
只有電離噪聲電流流經外接電阻，比如柵漏電阻，才會帶來問題。在這個外接電阻上，電離噪聲電流形成的電壓遵從歐姆定律。由于電子管是壓控器件（Va ocVgk或/aoc Vgk），電離噪聲電壓會被放大。如果柵漏電阻為零，則電離電流就不能變成一個噪聲電壓。
為了獲得優良的噪聲性能，低噪聲輸入級使用高肛管。由于噪聲性能主要由第一級電路決定，這樣，輸入級之后的電路有沒有使用高p管，也不會帶來明顯影響。但高“管的柵極絲排布細密，離子不去撞擊陰極、卻撞擊柵極的可能性大大增加。柵漏電阻R。往往取較大的阻值，因此，就會形成明顯的噪聲電壓，并會被電子管敢大。柵極有效地遮擋了陰極，于是，就只很少的離子撞擊陰極，陰極的電離電流得以大大減小。與此同時，接地的陰極電阻鳳即使沒有并聯退耦電容，其阻值也比柵漏電阻小。所以，陰極電路上形成的電離噪聲電壓得以進一步減小。高“管電路的電離噪聲，主要是柵極電離噪聲電流貢獻的。電容耦合相比，如果采用變壓器作輸入耦合，則可以在低頻段上，令電離噪聲電流的影響減小。（在很低的頻率上，變壓器耦合有次級，，這是相當小的；而電容耦合則有Xc≈oo，因此，電容耦合將產生更多的呈l/f規律的噪聲。）
為了盡量減小密勒電容，保證有足夠的帶寬，輸出級電路往往使用低∥管。但低“管的柵極絲排布粗疏，離子撞擊的對象更偏向于陰極。低,u管工作時，需要較高幅值的偏置電壓（Vgk），因此，風的值也較大。陰極在電離電流中所占的比例增大，再加上Rk值較大，這兩項因素綜合之下，如果想盡量減小電離噪聲電流的影響，低Ⅳ管的陰極就不能不設退耦電容。
真空度好時，可以當作是硬(hard)真空，而真空度差，則可稱作軟(sofi)真空。因此，英文中有時稱電子管已經“變軟了(gone sofi)”。在制造的時候，電子管內的空氣被抽走，怛仍會留有一些空氣，這些空氣需要由消氣劑(getter)來除掉。
電子管內的真空度很重要。因為管內那些起初沒有帶電的氣體分子，可能會被飛向陽極的高速電子所撞擊，被驅逐出電子后變成正的氣體離子。AZ1117T-1.8這些帶正電荷的離子被陽極排斥，同時又被陰極／柵極構造吸引，于是在這些離子到達之后，就會有同樣數量的電子從外部通路流到地線，立即對這些離子作放電。這些離子的形成，以及陰極／柵極構造隨之而進行的放電，均是隨機的，因此，這個過程導致了隨機噪聲電流的出現，從而形成了電離噪聲(ionization noise)。
只有電離噪聲電流流經外接電阻，比如柵漏電阻，才會帶來問題。在這個外接電阻上，電離噪聲電流形成的電壓遵從歐姆定律。由于電子管是壓控器件（Va ocVgk或/aoc Vgk），電離噪聲電壓會被放大。如果柵漏電阻為零，則電離電流就不能變成一個噪聲電壓。
為了獲得優良的噪聲性能，低噪聲輸入級使用高肛管。由于噪聲性能主要由第一級電路決定，這樣，輸入級之后的電路有沒有使用高p管，也不會帶來明顯影響。但高“管的柵極絲排布細密，離子不去撞擊陰極、卻撞擊柵極的可能性大大增加。柵漏電阻R。往往取較大的阻值，因此，就會形成明顯的噪聲電壓，并會被電子管敢大。柵極有效地遮擋了陰極，于是，就只很少的離子撞擊陰極，陰極的電離電流得以大大減小。與此同時，接地的陰極電阻鳳即使沒有并聯退耦電容，其阻值也比柵漏電阻小。所以，陰極電路上形成的電離噪聲電壓得以進一步減小。高“管電路的電離噪聲，主要是柵極電離噪聲電流貢獻的。電容耦合相比，如果采用變壓器作輸入耦合，則可以在低頻段上，令電離噪聲電流的影響減小。（在很低的頻率上，變壓器耦合有次級，，這是相當小的；而電容耦合則有Xc≈oo，因此，電容耦合將產生更多的呈l/f規律的噪聲。）
為了盡量減小密勒電容，保證有足夠的帶寬，輸出級電路往往使用低∥管。但低“管的柵極絲排布粗疏，離子撞擊的對象更偏向于陰極。低,u管工作時，需要較高幅值的偏置電壓（Vgk），因此，風的值也較大。陰極在電離電流中所占的比例增大，再加上Rk值較大，這兩項因素綜合之下，如果想盡量減小電離噪聲電流的影響，低Ⅳ管的陰極就不能不設退耦電容。
真空度好時，可以當作是硬(hard)真空，而真空度差，則可稱作軟(sofi)真空。因此，英文中有時稱電子管已經“變軟了(gone sofi)”。在制造的時候，電子管內的空氣被抽走，怛仍會留有一些空氣，這些空氣需要由消氣劑(getter)來除掉。
只有電離噪聲電流流經外接電阻，比如柵漏電阻，才會帶來問題。在這個外接電阻上，電離噪聲電流形成的電壓遵從歐姆定律。由于電子管是壓控器件（Va ocVgk或/aoc Vgk），電離噪聲電壓會被放大。如果柵漏電阻為零，則電離電流就不能變成一個噪聲電壓。
為了獲得優良的噪聲性能，低噪聲輸入級使用高肛管。由于噪聲性能主要由第一級電路決定，這樣，輸入級之后的電路有沒有使用高p管，也不會帶來明顯影響。但高“管的柵極絲排布細密，離子不去撞擊陰極、卻撞擊柵極的可能性大大增加。柵漏電阻R。往往取較大的阻值，因此，就會形成明顯的噪聲電壓，并會被電子管敢大。柵極有效地遮擋了陰極，于是，就只很少的離子撞擊陰極，陰極的電離電流得以大大減小。與此同時，接地的陰極電阻鳳即使沒有并聯退耦電容，其阻值也比柵漏電阻小。所以，陰極電路上形成的電離噪聲電壓得以進一步減小。高“管電路的電離噪聲，主要是柵極電離噪聲電流貢獻的。電容耦合相比，如果采用變壓器作輸入耦合，則可以在低頻段上，令電離噪聲電流的影響減小。（在很低的頻率上，變壓器耦合有次級，，這是相當小的；而電容耦合則有Xc≈oo，因此，電容耦合將產生更多的呈l/f規律的噪聲。）
為了盡量減小密勒電容，保證有足夠的帶寬，輸出級電路往往使用低∥管。但低“管的柵極絲排布粗疏，離子撞擊的對象更偏向于陰極。低,u管工作時，需要較高幅值的偏置電壓（Vgk），因此，風的值也較大。陰極在電離電流中所占的比例增大，再加上Rk值較大，這兩項因素綜合之下，如果想盡量減小電離噪聲電流的影響，低Ⅳ管的陰極就不能不設退耦電容。
真空度好時，可以當作是硬(hard)真空，而真空度差，則可稱作軟(sofi)真空。因此，英文中有時稱電子管已經“變軟了(gone sofi)”。在制造的時候，電子管內的空氣被抽走，怛仍會留有一些空氣，這些空氣需要由消氣劑(getter)來除掉。
上一篇：Mullard的四極管QV08-100的石墨厚板陽極
上一篇：消氣裝置
相關技術資料- 7-17采用220nF+220nF改進型抑止器時的波形
- 7-16真空度與電離噪聲
熱門點擊
- 小信號五極管EF86的運用
- 整機調試檢測的工藝流程
- 共陰極放大電路用作恒流源
- SRPP（并聯調整推挽）放大電路
- 317型集成塊用于HT穩壓電源
- 常用螺母的結構
- 密勒電容
- 中U值電子管測試電路
- 電容降壓半波整流電路
- 開機時沖擊電流回路
推薦技術資料
- 自制經典的1875功放
- 平時我也經常逛一些音響DIY論壇，發現有很多人喜歡LM... [詳細]
公網安備44030402000607
