集成電路技術的本質優勢在于可以將大量電子器件（如電阻）集成到同一塊相對電阻較低的硅襯底上（如P型摻雜的硅）。為了實現電隔離，P87C52X2FA需要在器件之間和它們共同的襯底上插入或者制造絕緣介質，在襯底上，將連接一個低阻電源，以使得芯片上所有的二極管反向偏置。那么就形成了一個電阻或者低阻互連線，同時，整個器件和襯底之間也形成了一個平行板電容，如圖2.2所示。其整體電容值隨著表面積增大（也就是增大W和L）而增大，隨著板間間距d的縮小而增大：為每個單位面積的電容值；e為絕緣介質的介電常數，其值為真空介電常數。的忌倍。

              
    與電阻的設計相似，工藝工程師將優化設置極板間間距，將寬度W和長度L用做可變的設計參數，而不是集成電路設計工程師來完成這個工作。但是，針對擴散電阻的情況，絕緣介質來源于電阻與襯底之間的PN結的耗盡層，耗盡層寬度與PN結上的偏置電壓密切相關，這將在下面PN結二極管的章節里詳細討論。那么，對電阻和互連線來說，這些電容都是寄生電容，它們的存在會影響電路的性能。另外，如果用導電性能更好的材料，如金屬鋁、金屬化的多晶硅或者高摻雜硅（如N+摻雜硅）等來代替高阻材料，增加表面積，確保器件只有一個或者更少方塊電阻來減少器件的阻性分量，從而增強其容性分量，最后得到的器件就可以認為是一個單片的電容了。
    從電路的角度來看，隨著極板間距的減小，介電常數的增加（即具有更高的電容率），頻率的升高，電容的阻抗會隨之減小，而在直流狀態下，可以認為電容的阻抗無窮大.
    s為拉普拉斯變挨中與頻率等效的參數。因此傳輸信號中的高頻分量會通過電容分流，在這個過程中將損失一部分能量。對電阻來說，這些寄生效應都是不可避免的。類似地，電容中與電阻有關的歐姆壓降和功率損耗也是由于寄生效應的影響。