去耦電容器通常有兩個作用：蓄能；去除高頻噪聲。去耦電容器的主要作用是去除高頻(如RF)信號的干擾。TMS320C6747CZKB4干擾是通過電磁輻射的方式進入的。

    集成電路在工作的時候，其電流是不連續的，而且頻率很高，而集成電路的電源引大，這樣會導致器件在需要電流的時候，不能被及時供給。在高頻器件電源引腳處放置小電容以起去耦作用，可彌補此不足。在設計電路時，去耦電容器應放置在電源入口處，連線應盡可能短。

    在設計高速電路板時，通常在電路板的電源接入端放置一個I～lOVF的電容器，濾除低頻噪聲；在電路板上，每個器件的電源與地線之間放置一個O.Ol～O.lpt,F的電容器，濾除高頻噪聲。

    去耦電容器的充、放電作用使集成電路得到的供電電壓比較平穩，減小了電壓振蕩現象，因此不會影響集成電路的速度：同時去耦電容器為集成電路的瞬態變化電流提供了各自就近的高強通道，從而大大減小了向外的輻射噪聲且相互之間沒有公共阻抗，因此抑制了公共阻抗耦合。

    由于去耦電容器在高頻時的阻抗將會減小其自諧振頻率，因而可以有效地去除信號線中的高頻噪聲，同時相對低頻來說對能量沒有髟響，所以可在每一個集成電路的電源地腳之間加一個大小合適的去耦電容器。在選擇去耦電容器類型時，應考慮那些低電感的高頻電容器，如高頻性能較好的多層陶瓷電容器或獨石電容器。