光晶閘管( LAT)俗稱光控硅，WEDPN16M64V-133B2M它是一種利用光信號控制的開關器件，其伏安特性和普通晶閘管相似，只是用光觸發代替了電觸發。

    光晶閘管的內部結構、符號和外形如圖7-19示。

    從內部結構上看，光晶閘管與普通晶閘管基本相同，也是由PINIP2N2四層半導體疊合而成的，其中Ni和P2構成的PN結J2相當于一個光電二極管。不過，因為光晶閘管是用光信號觸發的，并不需要引出控制極，所以它是一個只有陽極(A)和陰極(K)的二端元件。另外，為了使J2結能接受光照，在光晶閘管的頂端開有一個玻璃窗。

   圖7-19光晶閘管的內部結構、符號和外形

   當給光可控硅接上正向電壓（陽極為正、陰極為負）時，J2結處于反向偏置，因此整個光可控硅處于阻斷狀態。當一定照度的光信號通過玻璃窗照射到J2處的光敏區時，在光能的激發下，J2附近產生大量的電子和空穴兩種載流子，它們在外電壓的作用下可以穿過J2阻擋層，使光可控硅從阻斷狀態變成導通狀態。

   在光晶閘管導通之后，即使去掉光信號，由于內部的正反饋過程已經形成，所以光晶閘管仍然處于導通狀態，這個特點和普通的晶閘管在觸發導通后即使去掉觸發信號，晶閘管仍然導通的情形是一樣的。要想使光晶閘管重新變成阻斷狀態，必須去掉陽極和陰極上所加的正向電壓。