以下各節討論近區及遠區場的屏蔽效能。LM385BZ-2.5屏蔽效能可以用許多不同的方法分析，一種方法是使用如圖6-5所示的電路理論。在電路理論方法中，在屏蔽體中入射場感應產生電流，這些電流反過來產生附加的場，在某些空間區域抵消了原來的場。當處理孑L隙問題時我們將會使用這種方法。

   圖6-5非磁性材料可以提供磁屏蔽。入射磁場在導體中感應電流，產生一個反向場抵消屏蔽層封閉的空間區域內的入射場然而，對于這一章的大部分內容，我們使用由S．A.  Schelkunoff (1943，pp. 303-312)首先提出的方法。Schelkunoff的方法是將屏蔽作為一個有損耗和反射的傳輸線問題。損耗是屏蔽體內產生熱量的結果，反射是入射波阻抗和屏蔽體阻抗不同造成的。

   屏蔽效能可以用由屏蔽造成磁場強度和（或）電場強度的減少量來描述。以dB’為單位表達屏蔽效能很方便，使用dB允許不同的屏蔽產生的屏蔽效能相加獲得總的屏蔽效能。電的屏蔽效能(S)定義，在上述的方程中，E。(H。)是入射場強，而E．(H．)是穿過屏蔽后傳輸波的場強。

   在屏蔽罩的設計中，主要考慮兩點：①屏蔽材料本身的屏蔽效能；②由屏蔽的不連續性

   和屏蔽體上的孔隙造成的屏蔽效能。這兩點在這一章中分別討論。

   首先，考慮無接縫或孔隙的完整屏蔽罩的屏蔽效能，然后再考慮不連續性和孔隙的影響。在高頻段，孔隙的屏蔽效能決定一個屏蔽體的總屏蔽效能，而不是屏蔽材料固有的屏蔽效能決定的。

   屏蔽效能隨頻率、屏蔽體的幾何形狀、屏蔽體內場測量點的位置、場衰減的類型、入射角和極化等因紊變化。本節將考慮導電材料平板的屏蔽效果。這種簡單的幾何形狀可以用來介紹一般的屏蔽概念，表明哪種材料特性決定了屏蔽效果，但這不包括屏蔽體幾何形狀的影響a平板計算的結果對于估計不同材料的相對屏蔽效果是有用的。

   電磁波入射到金屬的表面時，有兩種類型的損耗。電磁波部分的從表面反射回來，而波的傳輸（非反射）部分穿過屏蔽體時被衰減。這后面的效果被稱為吸收或穿透損耗，它對于近場或者遠場，還是磁場或電場都是相同的。然而，反射損耗取決于場的類型和波阻抗。