本章前面的部分已經假設了完整的屏蔽層，沒有孔隙。可以看出，除了低頻磁場，P8255A超過lOOdB的屏蔽效能很容易地獲得。但是，實際大多數的屏蔽都不是完整的，一定會有蓋板、門、電纜孔、通風口、開關、顯示器以及接縫和縫隙。所有這些孔隙顯著降低屏蔽效能。作為實際問題，在高頻段，更關注通過孔隙的泄漏，而不太關泣屏蔽材料固有的屏蔽效能。

   孑L隙對磁場的泄露比對電場的泄露影響更大。因此，更加強調的是給出臻少磁場泄漏的方法。在幾乎所有情況下，這些方法對于減少電場的泄漏也是足夠的。   

   孑L隙的泄漏量主要取決于以下三個方面：

   (1)孔隙的最大線性尺寸，而不是面積。

   (2)電磁場的波阻抗。

   (3)場的頻率。

   最大線尺寸而不是面積決定孔隙泄漏量的事實，可以很直觀地使用電路理論方法求解屏蔽問題。在這種方法中，入射的電磁場在屏蔽體中產生感應電流，該電流產生一個附加的場。這個新的場在某些空間區域抵消原來的場，特別是屏蔽體上對著入射場一邊的區域。為了能夠相互抵消，感應屏蔽電流必須以它被感應時未被擾動的方式流動。如果孔隙迫使感應電流沿不同的路徑流動，則生成的場將不會完全抵消原來的場，而其屏蔽效能會降低。電流被迫繞行得越多，屏蔽效能下降得也越多。