SRAM在沒有新的寫入信號到來時，觸發器的狀態不會改變，所存信息將長時間保存不變，AD53527J但其所需的元件數較多，并且一個位元中至少有一組MOS管導通，因而功耗較大。而動態RAM具有元件少、功耗低的特點，在大容量存儲器中廣泛使用。

   DRAM是利用MOS管柵極與襯底間的寄生電容Cg存儲信息，如圖2-5所示。寫入時，字線為1，T管導通，寫入的數據加果是“1”，則位線向Cg充電，Cg存有電荷，表示信息“1”，否則Cg沒有電荷，就表示存有信息“0”。讀出時，字線的高電平使T管導通，Cg就和數據線連通，再經過高靈敏度的讀出放大器后就能正確輸出。

   由上分析可知，DRAM是依靠Cg上有無電荷來存儲信息的，Cg存有電荷，表示信息“1”，否則表示信息“0”。由于電容是動態元件，總有漏電存在，所以Cg上的信息不能長時間地保留，經過電容的漏電，電荷會逐漸泄漏掉。因此，為了保持住Cg上的信息，必須周期性地給存“1”的電路充電，這個過程稱為刷新。動態RAM的刷新由刷新外圍電路完成，一般以2ms為周期將所有的單元都刷新一遍，這是動態存儲器使用時必須要考慮和解決的問題。