內光電效應受光照的物體的電導率去發生變化，或者產生光生電動勢的效應稱為內光電效應。HCF4017BE內光電效應又可分為以下兩大類。

   光電導效應：在光線作用下，電子吸收光子能量，從鍵合狀態過渡到自由狀態，從而引起材料電阻率的變化，這種效應稱為光電導效應。基于這種效應工作的器件有光敏電阻等。

   當光照射到光電導體上時，若這介光電導體由本征半導體材料構成，而且光輻射能量又足夠強，光電導材料價帶上的電子將被激發到導帶上去，如圖8-2所示，從而使導帶的電子和價帶的空穴增加，致使光導體的電導率變大。為了實現能級的躍遷，入射光的能量必須不小于光電導材料的禁帶寬度E。

   也就是說，對于一種光電導材料，總存在一個照射光波長限A。只有波長小于A。，的光照射在光電導體上，才能產生電子能級間的躍遷，從而使光電導體的電導率增加。