基于霍爾效應原理工作的半導體器件稱為霍爾元件。按照結構可以分為體型和薄膜型兩種，STV9427如圖3-37所示。由于GaAs、InAs材料的禁帶寬度Eg較大，性能穩定，且遷移率岸較大的特點，使得靈敏度系數較大，加之離子注入技術的發展，可將Si注入GaAs中，制成N型GaAs，采用低溫沉積S102包封，經光刻、腐蝕及焊引線即可。一般加工出幾何結構長寬比為2:1的材料，做四個電極，a、b為輸入端，c、d為輸出端，如圖3-37(a)所示。

為了克服a、b電極的短路中和作用，加工為圖3-37(b)結構。另外依據前面理論得知，元件的厚度越小，靈敏度越大，所以制備成薄膜型器件，如圖3-37(c)所示。一般采用蒸發法制備半導體硅薄膜時，多數產品為多晶硅而不是單晶硅，其原因是單晶硅肚很小，因此這種工藝不適合制備霍爾元件，通常采用外延法生長單晶硅來制備薄膜型霍爾元件，目前也能制備出熔點低、肛大的InAs薄膜型高靈敏器件。它的外形、結構和符號如圖3-38歷示，它由霍爾片、四根引線和殼體組成。霍爾片是一塊矩形半導體單晶薄片(一般為4mm×2mm×0. Imm)，在它的長度方向兩個端面上有兩根引線（圖中a、b線），稱為控制電流端引線，通常用紅色導線，在薄片的另兩個端面的中間，以點的形式對稱焊接兩根霍爾輸出引線（圖中c、d線），通常用綠色導線。霍爾元件的殼體是用非導磁金屬、陶瓷或環氧樹脂封裝。霍爾元件在電路中可用圖3-38(c)的兩種符號表示。