絕緣柵場效應管特性曲線
發布時間:2014/12/27 19:52:18 訪問次數:2211
絕緣柵場效應管特性曲線。P4KE160A為了獲得更高的輸入電阻和便于制作集成電路,又出現了將柵極絕緣的另一種場效應管——絕緣柵場效應管,絕緣柵場效應管的內部結構與結型場效應管結構主要不同處在于它的柵極是從二氧化硅上引出,柵極與源、漏極是絕緣的,絕緣柵場效應管也因此得名。
絕緣柵(MOS)場效應管有耗盡型和增強型之分。當UGs =0時,源漏之間就存在導電溝道的,稱為耗盡型場效應管;如果必須在I UGSl>O酌情況下才存在導電溝道的,則稱為增強型場效應管。因此,絕緣柵場效應管有N溝道耗盡型、N溝道增強型、P溝道耗盡型、P溝道增強型四種不同的類型。
圖3 - 37 (a)所示是四種MOS場效應管的輸出特性曲線,圖3- 37 (b)所示是四種MOS場效應管的轉移特性曲線。
從圖3 - 37 (a)、圖3- 37 (b)可以看到,N溝道MOS場效應管和P溝道MOS場效應管的主要差別就是它們正常工作所需偏壓的正、負極性正好相反,它們輸出電流的方向也正好相反,它們的特性曲線正好完全倒了過來,電壓和電流的符號完全相反。
從圖3 - 37 (b)中還可以看到,增強型MOS場效應管只有加上一定柵壓時,管子才導通,這個柵壓叫閾電壓UT。
由于絕緣柵場效應管柵極是絕緣的,故輸入電流幾乎為零,輸入電阻極高,一般在l012Q 以上,比結型場效應管要高幾個數量級。但這也帶來一些麻煩由于柵極絕緣,柵漏極反向電流極小,柵漏結相當于一個具有非常大電阻的電容器,若用一外殼沒有接地的電烙鐵或用手碰一下管腳,就能使柵漏結被感應充電,充電電壓足以超過擊穿電壓,使管子被燒毀。
所以,對于MOS場效應管要拿它的外殼,切勿拿它的管腳;存放管子時必須將管腳擰在一起,或用金屬環將所有管腳短路。不過,最近出現了在管內加有保護二極管的MOS場效應管,使用時可與結型場效應管一樣方便。
絕緣柵場效應管特性曲線。P4KE160A為了獲得更高的輸入電阻和便于制作集成電路,又出現了將柵極絕緣的另一種場效應管——絕緣柵場效應管,絕緣柵場效應管的內部結構與結型場效應管結構主要不同處在于它的柵極是從二氧化硅上引出,柵極與源、漏極是絕緣的,絕緣柵場效應管也因此得名。
絕緣柵(MOS)場效應管有耗盡型和增強型之分。當UGs =0時,源漏之間就存在導電溝道的,稱為耗盡型場效應管;如果必須在I UGSl>O酌情況下才存在導電溝道的,則稱為增強型場效應管。因此,絕緣柵場效應管有N溝道耗盡型、N溝道增強型、P溝道耗盡型、P溝道增強型四種不同的類型。
圖3 - 37 (a)所示是四種MOS場效應管的輸出特性曲線,圖3- 37 (b)所示是四種MOS場效應管的轉移特性曲線。
從圖3 - 37 (a)、圖3- 37 (b)可以看到,N溝道MOS場效應管和P溝道MOS場效應管的主要差別就是它們正常工作所需偏壓的正、負極性正好相反,它們輸出電流的方向也正好相反,它們的特性曲線正好完全倒了過來,電壓和電流的符號完全相反。
從圖3 - 37 (b)中還可以看到,增強型MOS場效應管只有加上一定柵壓時,管子才導通,這個柵壓叫閾電壓UT。
由于絕緣柵場效應管柵極是絕緣的,故輸入電流幾乎為零,輸入電阻極高,一般在l012Q 以上,比結型場效應管要高幾個數量級。但這也帶來一些麻煩由于柵極絕緣,柵漏極反向電流極小,柵漏結相當于一個具有非常大電阻的電容器,若用一外殼沒有接地的電烙鐵或用手碰一下管腳,就能使柵漏結被感應充電,充電電壓足以超過擊穿電壓,使管子被燒毀。
所以,對于MOS場效應管要拿它的外殼,切勿拿它的管腳;存放管子時必須將管腳擰在一起,或用金屬環將所有管腳短路。不過,最近出現了在管內加有保護二極管的MOS場效應管,使用時可與結型場效應管一樣方便。
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