FQA11N90C
- 發布時間：2015/5/18 11:34:30
- 所屬類別：晶體 » 其它晶體元件
- 公 司：深圳市凱富欣科技有限公司
FQA11N90C屬性
- 0
- FAIRCHILD/仙童
FQA11N90C描述
這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式。 這些設備很好適合高效率開關模式電源。
FQA11N90C相關產品
- STF2HNK60Z 全新原裝正品 優勢價格
- 的SuperMESH™系列獲得通過極端優化圣的地帶——建立了良好聲譽基于PowerMESH™布局。 除了推動導通電阻明顯下降,特別注意是
- STW10NK80Z 全新原裝正品 優勢價格
- SuperMESH™系列獲得通過極端優化圣的地帶——建立了良好聲譽基于PowerMESH™布局。 除了推動導通電阻明顯下降,特別注意是t
- STW45NM60 全新原裝正品 優勢價格
- MDmesh™是一種新的革命力量場效應晶體管技術相關聯的多個排水過程與公司的PowerMESH™橫向布局。 由此產生的產品有一個優秀的低
- STW25NM50N全新原裝正品 優勢價格
- 實現STx25NM50N第二代MDmesh技術。 這revolu -tionary MOSFET的同事一個新的垂直struc -真正的公司帶布局之一世界上最低的
- FQA9N90C全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式
- FQA11N90C全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式
- FQPF5N60C 全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式
- FQPF5N60C 全新原裝正品 優勢價格
- 這些n溝道增強型場效應晶體管生產使用飛兆的專利,平面內縞,DMOS結構技術。這種先進的技術特別適合減少開態電阻,提供優越的切換性能和承受的高能脈沖雪崩和變換模式
同類產品
- FQA9N90C全新原裝正品 優勢價格
- FQA11N90C全新原裝正品 優勢價格
- FQPF5N60C 全新原裝正品 優勢價格
- FQPF5N60C 全新原裝正品 優勢價格
- FQPF5N60C 全新原裝正品 優勢價格
- FQPF5N60C 全新原裝正品 優勢價格
- FQPF5N60C 全新原裝正品 優勢價格
- FDP047N08全新原裝正品 優勢價格
- FQPF3N80C 全新原裝正品 優勢價格
- FDPF10N60NZ 全新原裝正品 優勢價格
- STF2HNK60Z 全新原裝正品 優勢價格
- STW10NK80Z 全新原裝正品 優勢價格
- STW45NM60 全新原裝正品 優勢價格
- STW25NM50N全新原裝正品 優勢價格
- STP9NK60ZFP 全新原裝正品 優勢價格
- STP7NK80ZFP 全新原裝正品 優勢價格
- STP10NK60ZFP 全新原裝正品 優勢價格
- STP4NK60ZFP全新原裝正品 優勢價格
- STP65NF06 全新原裝正品 優勢價格
- STP80N70F4全新原裝正品 優勢價格
公網安備44030402000607
