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UNR5213 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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UNR521300L詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE S-MINI 3P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):47k
電阻器_發射極333R2444(歐):47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:150MHz
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:S迷你型3-G1
包裝:剪切帶 (CT)

UNR521300L詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE S-MINI 3P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):47k
電阻器_發射極333R2444(歐):47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:150MHz
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:S迷你型3-G1
包裝:Digi-Reel®

UNR521300L詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE S-MINI 3P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):47k
電阻器_發射極333R2444(歐):47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:150MHz
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-70,SOT-323
供應商設備封裝:S迷你型3-G1
包裝:帶卷 (TR)

UNR5213G0L詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE S-MINI 3P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):47k
電阻器_發射極333R2444(歐):47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:150MHz
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-85
供應商設備封裝:S迷你型3-F2
包裝:Digi-Reel®

UNR5213G0L詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE S-MINI 3P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):47k
電阻器_發射極333R2444(歐):47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:150MHz
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-85
供應商設備封裝:S迷你型3-F2
包裝:帶卷 (TR)

UNR5213G0L詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路﹐預偏壓式
描述:TRANS NPN W/RES 80 HFE S-MINI 3P
系列:-
制造商:Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
晶體管類型:NPN - 預偏壓
電流_集電極333Ic444(最大):100mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):50V
電阻器_基極333R1444(歐):47k
電阻器_發射極333R2444(歐):47k
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:80 @ 5mA,10V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):250mV @ 300µA,10mA
電流_集電極截止(最大):500nA
頻率_轉換:150MHz
功率_最大:150mW
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:SC-85
供應商設備封裝:S迷你型3-F2
包裝:剪切帶 (CT)

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