描述：FDMS86181

MOSFET，N溝道，
屏蔽門
動力
100 V，124 A，4.2 m
一般說明
該N通道MV MOSFET使用安森美半導體先進的POWERTRENCH®工藝整合了屏蔽門技術。 這個過程已經優化以最小化導通電阻，同時保持出色的性能具有同類最佳的二極管，具有出色的開關性能。

特征：FDMS86181
•屏蔽柵MOSFET技術
•VGS = 10 V，ID = 44 A時，最大rDS（on）= 4.2 m
•VGS = 6 V，ID = 22 A時，最大rDS（on）= 12 m
•添加
•Qrr比其他MOSFET供應商低50％
•降低開關噪聲/ EMI
•MSL1堅固的包裝設計
•100％UIL測試
•符合RoHS

應用領域：FDMS86181
•初級DC-DC MOSFET
•DC-DC和AC-DC中的同步整流器
•電機驅動
•太陽能

制造商:FDMS86181
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
Power-56-8
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
100 V
Id-連續漏極電流:
124 A
Rds On-漏源導通電阻:
12 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2 V
Qg-柵極電荷:
42 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
125 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
PowerTrench
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.1 mm
長度:
6 mm
產品:
Power MOSFETs
系列:
FDMS86181
類型:
PowerTrench
寬度:
5 mm
商標:
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值:
116 S
下降時間:
6 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
9 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
25 ns
典型接通延遲時間:
17 ns
單位重量:
90 mg