產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 150 V
Id-連續漏極電流: 33 A
Rds On-漏源導通電阻: 56 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.5 V
Qg-柵極電荷: 60 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon / IR
配置: Single
下降時間: 21 ns
正向跨導 - 最小值: 14 S
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 38 ns
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: Smps MOSFET
典型關閉延遲時間: 23 ns
典型接通延遲時間: 13 ns
寬度: 4.4 mm
單位重量: 2 g

我司擁有多年的廠家配套經驗，承接各類客戶生產需求的采購貨單配套，誠實守信，歡迎來電咨詢！我們都以100％的熱情為您真誠服務。

TRS3243ECDWR TI
TRS3243ECI TI
TRS3243ECPW TI
TRS3243ECPWR TI
TRS3243ECPWRG4 TI
TRS3243ECRHBR TI
TRS3243ECRHBRG4 TI
TRS3243EIDB TI
TRS3243EIDBR TI
TRS3243EIDWR TI
TRS3243EIPW TI
TRS3243EIPWR TI
TRS3243EIRHBR TI
TRS3243EIRHBRG4 TI
TRS3243IDBR TI
TRS3243IDWR TI
TRS3243IPWR TI
TRS3253EIRSMR TI
TRS3253EMRSMREP TI
TRS3318CPWR TI
TRS3318ECDB TI
TRS3318ECPW TI
TRS3318ECPWR TI
TRS3318ECPWRG4 TI
TRS3318EIPWR TI
TRS3318IDBR TI
TRS3318IPWR TI
TRS3386ECDW TI
TRS3386ECDWR TI
TRS3386ECPW TI
TRS3386ECPWR TI
TRS3386ECPWRG4 TI
TRS3386EIDWRG4 TI
TRS3386EIPWR TI
TRS3386EIPWRG4 TI
TRSF23243CDGGR TI
TRSF23243CDLR TI
TRSF23243IDLR TI
TRSF3221CDB(RT21C) TI
TRSF3221CPWR TI
TRSF3221ECDBR TI
TRSF3221ECPW TI
TRSF3221ECPWR TI
TRSF3221EIDBR TI
TRSF3221EIPW TI
TRSF3221EIPWR TI
TRSF3221IDBR TI
TRSF3221IPW TI
TRSF3221IPWR TI
TRSF3222ECDBR TI