P溝道12 V（D-S）MOSFET
特征：SI2333DDS-T1-GE3
•TrenchFET®功率MOSFET
•100％Rg測試
•材料分類：
應用：SI2333DDS-T1-GE3
•智能手機和平板電腦
- 負載開關
- 電池開關
制造商:SI2333DDS-T1-GE3
Vishay
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
12 V
Id-連續漏極電流:
6 A
Rds On-漏源導通電阻:
23 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:
8 V
Qg-柵極電荷:
35 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
1.7 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商標名:
TrenchFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
1.45 mm
長度:
2.9 mm
系列:
SI2
晶體管類型:
1 P-Channel
寬度:
1.6 mm
商標:
Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值:
18 S
下降時間:
20 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
24 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
45 ns
典型接通延遲時間:
26 ns
單位重量:
8 mg
