91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

添加收藏夾 設為首頁 深圳服務熱線:13692101218  13751165337 網站地圖|企業名錄|IC詳細資料|熱門庫存|Pdf資料

51電子網Log圖片

IC供應PDF資料非IC供應

51電子網聯系電話:13692101218

當前位置:網站首頁 » 庫存索引607 » 型號"IRF9630S"的供應信息

IRF9630S 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
按地區:全部 | 廣東 | 深圳 | 汕頭 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陜西 | 山東 | 江蘇 | 深圳外

IRF9630S詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 3.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
功率_最大:3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:管件

IRF9630SPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 3.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
功率_最大:3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:管件

IRF9630STRL詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 3.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
功率_最大:3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

IRF9630STRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 3.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
功率_最大:3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:Digi-Reel®

IRF9630STRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 3.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
功率_最大:3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:帶卷 (TR)

IRF9630STRLPBF詳細規格

類別:FET - 單
描述:MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:200V
電流_連續漏極333Id4440a025000C:6.5A
開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:800 毫歐 @ 3.9A,10V
Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:29nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:700pF @ 25V
功率_最大:3W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝:D2PAK
包裝:剪切帶 (CT)

IRF9630S供應商

查看更多IRF9630S的供應商
把51電子網設為首頁      把51電子網加入收藏夾
關于我們 | 會員收費標準 | 廣告服務 | 付款方式 | 友情鏈接 | 網站地圖 | 聯系我們 | 免責聲明
庫存上載:service@51dzw.com   
版權所有:51dzw.COM 粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn) 服務熱線(深圳):13692101218 13751165337 傳真:0755-83035052 投訴電話:0755-83030533


 復制成功!
茌平县| 四子王旗| 玛纳斯县| 同心县| 河曲县| 阜平县| 满城县| 娱乐| 汉沽区| 凤庆县| 喜德县| 延长县| 长寿区| 抚州市| 治多县| 乐陵市| 尉犁县| 肥东县| 搜索| 分宜县| 小金县| 祁门县| 大冶市| 马边| 太谷县| 罗山县| 博白县| 日喀则市| 泊头市| 双鸭山市| 平邑县| 永安市| 海安县| 襄汾县| 察隅县| 广丰县| 梁山县| 昌黎县| 房产| 台山市| 南通市|