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2N56 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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2N5655詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN PWR 0.5A 250V TO225AA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):500mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):250V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):10V @ 100mA,500mA
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 100mA,10mV
功率_最大:20W
頻率_轉換:10MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO225AA
包裝:散裝

2N5655G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN PWR 0.5A 250V TO225AA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):500mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):250V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):10V @ 100mA,500mA
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 100mA,10mV
功率_最大:20W
頻率_轉換:10MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO225AA
包裝:散裝

2N5657詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANSISTOR NPN 375V 0.5A SOT-32
系列:-
制造商:STMicroelectronics
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):500mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):350V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):10V @ 100mA,500mA
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 100mA,10V
功率_最大:20W
頻率_轉換:10MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:SOT-32-3
包裝:管件

2N5657G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS NPN PWR 0.5A 350V TO225AA
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:NPN
電流_集電極333Ic444(最大):500mA
電壓_集電極發射極擊穿(最大):350V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):10V @ 100mA,500mA
電流_集電極截止(最大):100µA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:30 @ 100mA,10V
功率_最大:20W
頻率_轉換:10MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-225AA,TO-126-3
供應商設備封裝:TO225AA
包裝:散裝

2N5684詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP PWR GP 50A 80V TO3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):50A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):5V @ 10A,50A
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:15 @ 25A,2V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:2MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-204AE
供應商設備封裝:TO-3
包裝:托盤

2N5684G詳細規格

類別:晶體管(BJT) - 單路
描述:TRANS PNP PWR GP 50A 80V TO3
系列:-
制造商:ON Semiconductor
晶體管類型:PNP
電流_集電極333Ic444(最大):50A
電壓_集電極發射極擊穿(最大):80V
IbeeeIc條件下的Vce飽和度(最大):5V @ 10A,50A
電流_集電極截止(最大):1mA
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:15 @ 25A,2V
功率_最大:300mW
頻率_轉換:2MHz
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-204AE
供應商設備封裝:TO-3
包裝:托盤

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