描述：BSS84LT1G

功率MOSFET
單P溝道SOT-23
-50 V，10

特性：BSS84LT1G
•SOT-23表面貼裝封裝可節省電路板空間
•汽車和其他需要獨特應用的BV前綴現場和控制變更要求; AEC-Q101合格和PPAP能力
•這些器件是無鉛的，符合RoHS標準

制造商:BSS84LT1G
ON Semiconductor
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-23-3
通道數量:
1 Channel
晶體管極性:
P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
50 V
Id-連續漏極電流:
130 mA
Rds On-漏源導通電阻:
10 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:
5 V
Qg-柵極電荷:
2.2 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
225 mW
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
高度:
0.94 mm
長度:
2.9 mm
產品:
MOSFET Small Signal
系列:
BSS84L
晶體管類型:
1 P-Channel
類型:
MOSFET
寬度:
1.3 mm
商標:
ON Semiconductor
下降時間:
1.7 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
9.7 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
12 ns
典型接通延遲時間:
3.6 ns
單位重量:
8 mg