M29W160ET / M29W160EB70N6E（2Mb x8或1Mb x16）是非易失性設備，可以讀取，擦除
并重新編程。可以使用一個低壓（2.7–
3.6V）電源。上電時，內存默認為讀取模式，可以在其中讀取
與ROM或EPROM相同。
該設備分為多個塊，可以分別擦除這些塊，以保留有效數據，同時擦除舊數據。可以獨立保護每個塊，以防止意外的PROGRAM或ERASE命令修改存儲器。程序和
ERASE命令被寫入存儲器的命令界面。片上
編程/擦除控制器簡化了編程或擦除存儲器的過程
通過處理更新內存所需的所有特殊操作
內容。
可以檢測到PROGRAM或ERASE操作的結束以及任何錯誤情況
確定。控制內存所需的命令集與JEDEC一致
標準。
存儲器中的塊不對稱地排列。第一個或最后一個64KB已被
分為四個附加塊。 16KB引導塊可用于小的初始化代碼來啟動微處理器，兩個8KB參數塊可用于
參數存儲，剩下的32KB是應用程序所在的小主塊
可以存儲。
CE＃，OE＃和WE＃信號控制總線操作。它們使簡單連接到
大多數微處理器，通常沒有附加邏輯。
器件提供的所有位都被擦除（設置為1）。
產品特點：M29W160EB70N6E
• 電源電壓
– VCC = 2.7–3.6V（編程，擦除，讀取）
•訪問時間
– 70，90ns
•節目時間
–每字節/字（TYP）10μs
•記憶組織
– 3個參數和31個主要塊
– 1個引導塊（頂部或底部位置）
•編程/擦除控制器
–嵌入式字節/字程序算法
•清除暫停和恢復功能
–在ERASE期間讀取或編程另一個塊
暫停操作
•解鎖旁路程序命令
–快速緩沖/批量編程
•臨時塊解除保護模式
•通用Flash界面
– 64位安全代碼
•低功耗：待機和自動
模式
•每塊100,000個PROGRAM / ERASE周期
• 電子簽名
–制造商代碼：0020h
–頂級設備代碼M29W160ET：22C4h
–底部設備代碼M29W160EB：2249h
•套餐
– 48針TSOP（N）12mm x 20mm
– 48球TFBGA（ZA）6mm x 8mm
– 64球FBGA（ZS）11mm x 13mm
•提供汽車級零件
制造商: Micron Technology
產品種類: NOR閃存
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSOP-48
系列: M29W
存儲容量: 16 Mbit
電源電壓-最小: 2.7 V
電源電壓-最大: 3.6 V
有源讀取電流（最大值）: 10 mA
接口類型: Parallel
組織: 2 M x 8/1 M x 16
數據總線寬度: 8 bit/16 bit
定時類型: Asynchronous
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
存儲類型: NOR
速度: 70 ns
類型: Boot Block
商標: Micron
電源電流—最大值: 10 mA
產品類型: NOR Flash
標準: Common Flash Interface (CFI)
工廠包裝數量: 576
子類別: Memory & Data Storage
